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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP11N03LA-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP11N03LA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP11N03LA-VB 產(chǎn)品簡介

IPP11N03LA-VB 是一款采用 TO220 封裝的高性能 N 溝道 MOSFET。其最大漏源電壓為 30V,最大漏極電流為 70A,特別適合用于需要高電流和低導通電阻的應用。該 MOSFET 的導通電阻在 VGS = 4.5V 條件下為 10mΩ,而在 VGS = 10V 時為 7mΩ,表現(xiàn)出優(yōu)秀的開關性能和高效能量轉(zhuǎn)換能力。采用先進的溝槽型(Trench)技術(shù),使其在高負載條件下也能穩(wěn)定工作,適用于各種高效能電子設備和電源管理系統(tǒng)。

### 二、IPP11N03LA-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單極 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)類型**:溝槽型(Trench)技術(shù)
- **耗散功率 (Ptot)**:約 100W(具體取決于散熱條件)
- **熱阻 (RthJC)**:1.5℃/W(結(jié)到殼)
- **工作溫度范圍**:-55℃ 到 175℃

### 三、應用領域和模塊示例

1. **開關電源(SMPS)**:由于其低導通電阻和高電流承載能力,IPP11N03LA-VB 是開關電源中的理想選擇。它能夠有效減少功率損耗,提供穩(wěn)定的電流轉(zhuǎn)換,適用于高效能的開關電源設計。

2. **電機驅(qū)動**:在電機控制系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以作為電機驅(qū)動的開關元件,尤其適合用于高電流電機的控制和調(diào)速,能夠提供穩(wěn)定且高效的功率轉(zhuǎn)換。

3. **汽車電子**:該 MOSFET 適用于汽車中的電源管理系統(tǒng),如電動座椅調(diào)節(jié)器、電源分配模塊和其他高電流負載的開關。其高電流處理能力和低導通電阻能夠提高汽車電子系統(tǒng)的效率和可靠性。

4. **LED 驅(qū)動器**:在 LED 照明系統(tǒng)中,IPP11N03LA-VB 可以用于高功率 LED 驅(qū)動器,確保穩(wěn)定的電流輸出并減少能量損耗,尤其適合高亮度 LED 應用。

5. **通信設備**:該 MOSFET 可用作通信設備中的功率開關,提供高效的電能轉(zhuǎn)換,特別是在需要高電流和低導通電阻的無線通信設備和基站中。

通過其高電流承載能力和低導通電阻,IPP11N03LA-VB 能夠在各種高效能和高功率應用中提供可靠的性能。

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