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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP070N08N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP070N08N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IPP070N08N3 G-VB** 是一款單級(jí)N溝道MOSFET,采用TO220封裝,并基于Trench技術(shù)。這款MOSFET設(shè)計(jì)用于高電壓和高電流應(yīng)用,具備高開關(guān)效率和低功耗特性。其最大漏源電壓為80V,能夠承受高達(dá)100A的漏極電流,適合需要高負(fù)載能力和高效率的電子系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IPP070N08N3 G-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單級(jí)N溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**: 80V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **門源電壓閾值(Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**1. 電源管理**

IPP070N08N3 G-VB的低RDS(ON)和高電流承載能力使其適用于高功率電源管理應(yīng)用,如開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高電壓處理能力和高效率特性能夠有效減少能量損耗,提升系統(tǒng)的整體性能。

**2. 電動(dòng)汽車(EV)**

在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)控制中,這款MOSFET可以處理大電流負(fù)載,提供可靠的電流開關(guān)功能。其高電壓和高電流能力有助于提高電動(dòng)汽車的整體性能和續(xù)航里程。

**3. 電池充電器**

在高效電池充電器中,IPP070N08N3 G-VB可以用于實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換和電流開關(guān)。其低導(dǎo)通電阻可以降低充電過(guò)程中的能量損失,特別適合于快速充電和高功率充電應(yīng)用。

**4. 計(jì)算機(jī)和通訊設(shè)備**

在計(jì)算機(jī)電源模塊和通訊設(shè)備中,這款MOSFET可以用作負(fù)載開關(guān)和電源管理模塊。其高電流和高電壓能力確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行,并提高了整體能效。

**5. 逆變器**

在逆變器設(shè)計(jì)中,IPP070N08N3 G-VB可以用于高效地開關(guān)大電流負(fù)載,特別是在需要高電壓和高電流的應(yīng)用場(chǎng)景。其低RDS(ON)性能幫助優(yōu)化逆變器的效率和可靠性。

這些應(yīng)用示例展示了IPP070N08N3 G-VB在高電壓和高功率開關(guān)應(yīng)用中的廣泛適用性,尤其在要求高電流處理和低功耗的領(lǐng)域。

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