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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP072N10N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP072N10N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IPP072N10N3 G-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 具有顯著的低導(dǎo)通電阻和寬柵極電壓范圍,使其在各種電源開關(guān)和功率管理應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。其 Trench 技術(shù)的應(yīng)用保證了高效的電氣性能和優(yōu)良的熱穩(wěn)定性,確保了在高功率密度的環(huán)境下可靠地工作。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**:TO220
- **配置**:單 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵源閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:120A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:在電源轉(zhuǎn)換器中,IPP072N10N3 G-VB 可以作為主要開關(guān)元件使用,其低 RDS(ON) 值有助于降低開關(guān)損耗,從而提高電源轉(zhuǎn)換效率。這使其在高效率開關(guān)電源設(shè)計中具有重要作用。

2. **電動汽車**:在電動汽車的電池管理系統(tǒng)和驅(qū)動控制中,此 MOSFET 可以用作高電流開關(guān),提供可靠的電流控制。其高漏源電壓和大電流承載能力保證了電動汽車在高功率運行下的穩(wěn)定性和安全性。

3. **工業(yè)電源**:在工業(yè)電源應(yīng)用中,IPP072N10N3 G-VB 可用于高功率開關(guān)模塊,提供高效的功率控制。其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和高電壓承載能力使其適用于要求嚴格的工業(yè)電源系統(tǒng)。

4. **高功率 LED 驅(qū)動**:在高功率 LED 驅(qū)動電路中,此 MOSFET 可作為開關(guān)控制元件,以穩(wěn)定高效地管理 LED 的電流,確保其長壽命和高亮度。低 RDS(ON) 值幫助減少熱量產(chǎn)生,提高系統(tǒng)效率。

5. **電機驅(qū)動**:在電機驅(qū)動模塊中,IPP072N10N3 G-VB 可以作為功率開關(guān)使用,控制電機的電流和功率分配。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電機的運行效率和性能。

這些應(yīng)用示例展示了 IPP072N10N3 G-VB 在高電壓和高電流環(huán)境中的廣泛適用性,突顯了其在各種高性能電子設(shè)計中的重要性。

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