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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP075N15N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP075N15N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 150V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 8.5mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IPP075N15N3 G-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該MOSFET使用先進(jìn)的Trench技術(shù),具有高耐壓和低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn),專為處理高電流和高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其高耐壓特性使其能夠在嚴(yán)苛的電源管理和功率控制環(huán)境中穩(wěn)定工作,非常適合需要高開關(guān)性能和高效率的電力電子系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IPP075N15N3 G-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道 (Single-N-Channel)
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 150V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 8.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高壓電源管理**:
  IPP075N15N3 G-VB的高VDS和低RDS(ON)特性使其非常適合用于高壓電源管理系統(tǒng)。它能夠高效地處理高電壓環(huán)境中的功率轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于高壓開關(guān)電源(SMPS)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中,提供穩(wěn)定和高效的電力管理。

2. **電動(dòng)汽車**:
  在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,這款MOSFET能夠處理高電壓和高電流負(fù)載,確保電池的安全充放電及電機(jī)的高效控制。它的高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻有助于提升電動(dòng)汽車的整體性能和可靠性。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  IPP075N15N3 G-VB可用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,尤其是在需要處理高電流和高電壓的場合。其優(yōu)異的開關(guān)性能和高電流處理能力確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效控制,適用于各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。

4. **功率放大器**:
  在高功率放大器應(yīng)用中,如射頻功率放大器和音頻放大器,IPP075N15N3 G-VB可以用于開關(guān)控制和功率調(diào)節(jié)。它的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻保證了高效的功率輸出和系統(tǒng)的穩(wěn)定性,提高了功率放大器的性能。### 產(chǎn)品簡介

**IPP075N15N3 G-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該MOSFET使用先進(jìn)的Trench技術(shù),具有高耐壓和低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn),專為處理高電流和高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其高耐壓特性使其能夠在嚴(yán)苛的電源管理和功率控制環(huán)境中穩(wěn)定工作,非常適合需要高開關(guān)性能和高效率的電力電子系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IPP075N15N3 G-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道 (Single-N-Channel)
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 150V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 8.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高壓電源管理**:
  IPP075N15N3 G-VB的高VDS和低RDS(ON)特性使其非常適合用于高壓電源管理系統(tǒng)。它能夠高效地處理高電壓環(huán)境中的功率轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于高壓開關(guān)電源(SMPS)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中,提供穩(wěn)定和高效的電力管理。

2. **電動(dòng)汽車**:
  在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,這款MOSFET能夠處理高電壓和高電流負(fù)載,確保電池的安全充放電及電機(jī)的高效控制。它的高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻有助于提升電動(dòng)汽車的整體性能和可靠性。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  IPP075N15N3 G-VB可用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,尤其是在需要處理高電流和高電壓的場合。其優(yōu)異的開關(guān)性能和高電流處理能力確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效控制,適用于各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。

4. **功率放大器**:
  在高功率放大器應(yīng)用中,如射頻功率放大器和音頻放大器,IPP075N15N3 G-VB可以用于開關(guān)控制和功率調(diào)節(jié)。它的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻保證了高效的功率輸出和系統(tǒng)的穩(wěn)定性,提高了功率放大器的性能。

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