### 產(chǎn)品簡介
**IPP076N12N3 G-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO220封裝，特別設(shè)計(jì)用于高電壓和高電流應(yīng)用。該MOSFET的最大漏源電壓為100V，能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。其采用Trench技術(shù)，提供了優(yōu)異的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻，使其適合用于要求高效能和低功耗的電路。IPP076N12N3 G-VB以其高電流能力和低R_DS(ON)特性，成為高功率電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他需要高電流和高電壓的應(yīng)用中的理想選擇。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (V_DS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:
- 5mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏電流 (I_D)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
**1. 高功率電源管理**
- **描述**: 在高功率電源管理系統(tǒng)中，IPP076N12N3 G-VB MOSFET可以作為DC-DC轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵開關(guān)元件。其高電壓耐受能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高轉(zhuǎn)換效率，減少功率損耗，從而優(yōu)化電源的性能和穩(wěn)定性。
**2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
- **描述**: 該MOSFET在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，適用于高電壓直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。其高電流承載能力和低R_DS(ON)確保了電機(jī)驅(qū)動(dòng)過程中的高效能和可靠性，同時(shí)降低了電機(jī)運(yùn)行中的功耗。
**3. 開關(guān)電源**
- **描述**: 在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，IPP076N12N3 G-VB MOSFET作為主開關(guān)元件，能夠在高電壓環(huán)境下提供穩(wěn)定的電源輸出。其優(yōu)良的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻提高了開關(guān)電源的效率，減少了能量損失，保證了電源的高效運(yùn)行。
**4. 高頻開關(guān)應(yīng)用**
- **描述**: 在高頻開關(guān)電路中，如脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制，IPP076N12N3 G-VB的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其成為理想的選擇。這些特性幫助在高頻率下實(shí)現(xiàn)高效的開關(guān)操作，適用于需要高頻、高效能的應(yīng)用場(chǎng)景。
IPP076N12N3 G-VB憑借其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻，在多個(gè)高負(fù)載、高電壓應(yīng)用中展現(xiàn)出優(yōu)異性能，確保設(shè)備在不同工作條件下的高效能和可靠性。