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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP07N03L-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP07N03L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IPP07N03L-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO220封裝,基于Trench技術(shù)制造。它設(shè)計(jì)用于需要高開(kāi)關(guān)效率和高電流承載能力的應(yīng)用。具有非常低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,使其適合于多種高效電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IPP07N03L-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單極N溝道 (Single-N-Channel)
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 4mΩ @ VGS = 4.5V
 - 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**IPP07N03L-VB** 的特性使其在多種領(lǐng)域和模塊中非常有用,特別是那些要求高效開(kāi)關(guān)和電源管理的應(yīng)用場(chǎng)景:

1. **高效電源轉(zhuǎn)換器**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,IPP07N03L-VB 適用于高效DC-DC轉(zhuǎn)換器。這種應(yīng)用需要MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中提供低功耗損耗,減少系統(tǒng)的熱量產(chǎn)生,并提高整體轉(zhuǎn)換效率,適用于計(jì)算機(jī)電源、電池管理系統(tǒng)等。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器**: 在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,IPP07N03L-VB 能夠處理高電流,并且在開(kāi)關(guān)時(shí)保持低導(dǎo)通電阻。這使其成為電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車(chē)和其他高功率電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)的理想選擇,能夠提供穩(wěn)定的電流輸出和有效的開(kāi)關(guān)控制。

3. **功率開(kāi)關(guān)**: 該MOSFET 的高開(kāi)關(guān)效率和低導(dǎo)通電阻使其適合用于功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。比如,在高功率開(kāi)關(guān)模塊中,IPP07N03L-VB 可以用于高頻開(kāi)關(guān)操作和功率調(diào)節(jié),提高設(shè)備的整體性能,適用于工業(yè)設(shè)備和電源管理模塊。

這些應(yīng)用中,IPP07N03L-VB 的高效開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻能夠顯著提高系統(tǒng)的可靠性和效率,使其成為許多高要求應(yīng)用中的關(guān)鍵組件。

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