### IPP084N06L3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPP084N06L3 G-VB 是一款采用 TO220 封裝的單N溝道MOSFET，設(shè)計(jì)用于高效的電源管理和功率控制應(yīng)用。其額定漏源電壓（VDS）為 60V，最大漏極電流（ID）為 120A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON) = 5mΩ @ VGS = 10V）。該器件可以承受 ±20V 的柵源電壓（VGS），并具有一個(gè)典型的柵極閾值電壓（Vth）為 3V，適合在低壓、高電流條件下工作。由于其高效的導(dǎo)通特性和堅(jiān)固的設(shè)計(jì)，它在需要快速開(kāi)關(guān)性能和高可靠性的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### IPP084N06L3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: TO220  
- **配置**: 單N溝道MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**: 120A  
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù) (Trench)  
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 300W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
- **開(kāi)關(guān)速度**: 快速開(kāi)關(guān)  
- **電容參數(shù)**: 低輸入電容和輸出電容，確保高效的開(kāi)關(guān)操作  
- **抗沖擊能力**: 優(yōu)秀的耐用性，適用于苛刻的工作環(huán)境

### IPP084N06L3 G-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **汽車(chē)電子系統(tǒng)**  
  在汽車(chē)電子中，IPP084N06L3 G-VB 可用于電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的電源控制單元（PCU）、電動(dòng)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）等。這些系統(tǒng)需要高電流傳輸和低導(dǎo)通損耗，而該MOSFET的低RDS(ON) 和高電流能力使其非常適合這些應(yīng)用。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制模塊**  
  在電機(jī)控制領(lǐng)域，該MOSFET可用于直流電機(jī)控制器、電動(dòng)工具和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中。由于其快速開(kāi)關(guān)特性和高耐用性，能夠有效提高系統(tǒng)效率并減少熱量產(chǎn)生。

3. **電源轉(zhuǎn)換器和逆變器**  
  IPP084N06L3 G-VB 在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器模塊中有廣泛應(yīng)用。這類(lèi)系統(tǒng)需要高效的功率轉(zhuǎn)換和低能量損耗，而該器件的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性可顯著提升功率密度和轉(zhuǎn)換效率。

4. **太陽(yáng)能光伏逆變器**  
  在太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)中，該MOSFET可用于逆變器模塊，以高效轉(zhuǎn)換直流電為交流電，同時(shí)減少能量損耗，提高系統(tǒng)的發(fā)電效率。

5. **不間斷電源（UPS）系統(tǒng)**  
  IPP084N06L3 G-VB 適用于UPS系統(tǒng)中，提供可靠的功率管理和高電流處理能力，確保電力設(shè)備在斷電時(shí)能夠持續(xù)工作。

通過(guò)其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，IPP084N06L3 G-VB 能夠在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域中提升系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源系統(tǒng)等。