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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP08CN10L G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP08CN10L G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP08CN10L G-VB 產(chǎn)品簡介
IPP08CN10L G-VB 是一款采用 TO220 封裝的單極 N 溝道 MOSFET,具備高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。其最大漏源電壓為 100V,導(dǎo)通電阻僅為 5mΩ(在 VGS = 10V 條件下),最大電流承載能力達(dá)到 120A。該 MOSFET 采用先進(jìn)的溝槽型(Trench)技術(shù),具備更優(yōu)異的開關(guān)性能和低損耗特性,適用于高效功率轉(zhuǎn)換及高可靠性需求的應(yīng)用。

### 二、IPP08CN10L G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單極 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:120A
- **技術(shù)類型**:溝槽型(Trench)技術(shù)
- **耗散功率 (Ptot)**:約 300W(根據(jù)不同散熱條件)
- **熱阻 (RthJC)**:0.5℃/W(結(jié)到殼)
- **工作溫度范圍**:-55℃ 到 175℃

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電機(jī)控制系統(tǒng)**:IPP08CN10L G-VB 由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,非常適用于電動機(jī)控制系統(tǒng)中的功率開關(guān)器件,能夠?qū)崿F(xiàn)快速且高效的電流切換,有效減少損耗,提高系統(tǒng)效率。

2. **汽車電子**:在電動汽車或混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)、直流/直流轉(zhuǎn)換器和電動動力傳動系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用作高功率開關(guān)元件,幫助減少功率損耗,并提升整體效率。

3. **開關(guān)電源(SMPS)**:該器件的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其特別適合應(yīng)用在開關(guān)電源中,能夠承載高電流負(fù)載,同時保持較低的損耗,有助于提高電源效率。

4. **太陽能逆變器**:在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,IPP08CN10L G-VB 可用作功率轉(zhuǎn)換中的關(guān)鍵開關(guān)元件,能夠高效處理直流到交流的電能轉(zhuǎn)換,特別適用于高功率逆變器模塊。

5. **不間斷電源 (UPS)**:該器件在 UPS 系統(tǒng)中可以用于大功率轉(zhuǎn)換模塊,幫助確保系統(tǒng)在負(fù)載變化時保持穩(wěn)定的電流供給。其快速開關(guān)特性和低損耗有助于提高 UPS 的轉(zhuǎn)換效率。

這款 MOSFET 是高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的理想選擇,能夠為多種領(lǐng)域提供可靠的功率管理解決方案。

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