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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP08CNE8N G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP08CNE8N G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP08CNE8N G-VB是一款80V耐壓的單N溝道MOSFET,采用TO220封裝,基于先進(jìn)的Trench技術(shù)設(shè)計(jì)。它具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為9mΩ,在10V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為7mΩ。該型號(hào)的最大連續(xù)漏極電流為100A,適用于高效的電源管理與開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**: TO220
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、適用領(lǐng)域及模塊
IPP08CNE8N G-VB MOSFET因其高電流能力、低導(dǎo)通電阻和80V耐壓,適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電機(jī)控制**:在電動(dòng)汽車(chē)或工業(yè)自動(dòng)化中,IPP08CNE8N可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中。其高電流能力和低導(dǎo)通損耗,使其在快速開(kāi)關(guān)和能效要求高的系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。
  
2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在電源模塊中,該器件可以用于高效的降壓轉(zhuǎn)換器或升壓轉(zhuǎn)換器中。其低RDS(ON)降低了轉(zhuǎn)換損耗,提高了能效,尤其適用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等需要高效功率管理的應(yīng)用。

3. **不間斷電源(UPS)**:IPP08CNE8N可在UPS系統(tǒng)中起到開(kāi)關(guān)和功率調(diào)節(jié)的作用,尤其是在高功率應(yīng)用中,其100A的大電流處理能力可確保穩(wěn)定的功率輸出。

4. **太陽(yáng)能逆變器**:其高效的電流處理能力和低損耗特性,使其在太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)中的DC-AC逆變模塊中具備優(yōu)良的表現(xiàn),能夠在提升能效的同時(shí)降低熱耗。

該器件廣泛應(yīng)用于需要低功耗、高效率的開(kāi)關(guān)電路中,尤其適合高電流、高效率的功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制應(yīng)用。

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