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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP096N03L G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP096N03L G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

IPP096N03L G-VB 是一款采用TO220封裝的單N溝道MOSFET。它的設(shè)計特點是低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,尤其適合用于要求高效率和低損耗的應(yīng)用中。其最大漏源電壓為30V,柵源電壓為±20V,導(dǎo)通電阻在VGS=4.5V時為9mΩ,VGS=10V時為6mΩ。憑借其較低的閾值電壓(1.7V)和高達(dá)80A的額定電流,IPP096N03L G-VB 在負(fù)載開關(guān)和電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該MOSFET采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),具有出色的開關(guān)性能和熱效率。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**:30V
- **最大柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS=4.5V 時為 9mΩ
 - VGS=10V 時為 6mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:80A
- **技術(shù)類型**:溝槽MOSFET(Trench)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +175°C
- **封裝引腳配置**:3引腳(Drain、Gate、Source)

### 三、適用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源管理模塊**:IPP096N03L G-VB 常用于電源管理模塊中,特別是在開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。它的低導(dǎo)通電阻確保了在高電流條件下,轉(zhuǎn)換效率保持較高,從而減少功耗和發(fā)熱。

2. **電動工具和馬達(dá)驅(qū)動**:該MOSFET可以應(yīng)用于電動工具和小型電機(jī)驅(qū)動器中,能夠承受較大的電流,適合高頻開關(guān)操作,能夠提高設(shè)備的響應(yīng)速度和效率。

3. **汽車電子系統(tǒng)**:IPP096N03L G-VB 在汽車電子系統(tǒng)如電動窗、風(fēng)扇控制和座椅調(diào)節(jié)器中也有廣泛應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,能滿足這些應(yīng)用對可靠性和功率密度的需求。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:它適用于鋰電池的保護(hù)電路,特別是在高功率電池組中,能夠有效管理電流和電壓,保護(hù)電池免受過流和過壓的影響。

5. **逆變器和UPS系統(tǒng)**:在不間斷電源(UPS)和逆變器中,該器件的快速開關(guān)速度和低功耗性能有助于提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性,尤其在需要長時間運行的關(guān)鍵應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出。

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