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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP100N06S3L-04-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP100N06S3L-04-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
  • ID 210A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP100N06S3L-04-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IPP100N06S3L-04-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電流、高效率的電源管理應用設計。該器件具備 60V 的最大漏源電壓(VDS)和高達 210A 的漏極電流(ID),結合先進的溝槽技術(Trench),提供優(yōu)異的開關性能和低導通電阻。其導通電阻在 VGS 為 10V 時為 3mΩ,在 VGS 為 4.5V 時為 9mΩ,確保在多種工作條件下都能保持低功率損耗。此MOSFET特別適用于需要高效率和穩(wěn)定性的功率管理系統(tǒng)。

### IPP100N06S3L-04-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220  
- **配置**: 單N溝道MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 3mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**: 210A  
- **技術**: 溝槽技術 (Trench)  
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 320W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
- **開關速度**: 高速開關  
- **電容參數(shù)**: 低輸入電容和輸出電容,有助于提高開關效率  
- **抗沖擊能力**: 強大的耐用性,適合苛刻環(huán)境

### IPP100N06S3L-04-VB 應用領域與模塊舉例

1. **電動車和混合動力車**  
  在電動車和混合動力車的電源管理系統(tǒng)中,該MOSFET 可用于電動機控制單元(MCU)和電池管理系統(tǒng)(BMS)。其高電流能力和低導通電阻可以有效提升能量轉換效率,并減少熱量產(chǎn)生,增強車輛的整體性能和續(xù)航能力。

2. **高效電源轉換器**  
  在開關電源(SMPS)、DC-DC轉換器等電源轉換應用中,IPP100N06S3L-04-VB 能夠提供穩(wěn)定的功率輸出,確保系統(tǒng)高效運作。其低導通電阻有助于降低功率損耗,提高轉換效率,適合高負荷電源轉換任務。

3. **工業(yè)電機驅(qū)動**  
  在工業(yè)電機驅(qū)動系統(tǒng)中,使用該MOSFET 可以提高電機控制的響應速度和效率。其高電流處理能力和快速開關特性使其適合用于直流電機驅(qū)動、伺服電機控制等高功率應用中。

4. **電力儲能系統(tǒng)**  
  在電力儲能系統(tǒng)如不間斷電源(UPS)和備用電源系統(tǒng)中,IPP100N06S3L-04-VB 可以作為關鍵的功率開關,確保穩(wěn)定的電力供應并優(yōu)化系統(tǒng)的能量管理。

5. **太陽能逆變器**  
  在太陽能逆變器中,該MOSFET 可用于直流-交流逆變過程,以高效地轉換太陽能產(chǎn)生的直流電為交流電。其低導通電阻能夠減少能量損耗,提高逆變器的整體效率和可靠性。

通過其出色的開關性能和低導通電阻,IPP100N06S3L-04-VB 能夠在電動車、工業(yè)電機、電源轉換器等多個領域中發(fā)揮重要作用,提供高效、穩(wěn)定的電源管理解決方案。

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