--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 2.1mΩ@VGS=10V
- ID 270A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
IPP120N06S4-H1-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓 (VDS) 為 60V,柵極電壓 (VGS) 最大為 ±20V。這款 MOSFET 采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),具備極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時(shí)為 2.5mΩ,VGS=10V 時(shí)為 2.1mΩ,支持高達(dá) 270A 的漏極電流 (ID)。這些特性使其在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合用于需要高電流和高效率的電源管理系統(tǒng)。
**二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- 2.1mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:270A
- **技術(shù)**:溝槽(Trench)技術(shù)
**三、適用領(lǐng)域和模塊:**
1. **高效電源轉(zhuǎn)換器**:IPP120N06S4-H1-VB 在高效電源轉(zhuǎn)換器中非常適用,如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和逆變器。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠在高功率密度下高效地轉(zhuǎn)換電能,減少功率損失,提高系統(tǒng)的整體效率。
2. **電動(dòng)汽車**:該 MOSFET 適用于電動(dòng)汽車中的電力管理系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)控制模塊。其高電流能力和低 RDS(ON) 特性使其能夠有效管理電動(dòng)汽車的電池放電和電機(jī)驅(qū)動(dòng),提升汽車的整體性能和續(xù)航能力。
3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在工業(yè)應(yīng)用中,IPP120N06S4-H1-VB 可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于高效驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī),如在機(jī)器人和自動(dòng)化設(shè)備中提供穩(wěn)定的電源支持。
4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于實(shí)現(xiàn)高效的電池開(kāi)關(guān)和保護(hù)功能。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力確保電池在充放電過(guò)程中的安全和效率。
5. **太陽(yáng)能逆變器**:該 MOSFET 在太陽(yáng)能逆變器中可用于高效電流轉(zhuǎn)換和管理。它的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在光伏系統(tǒng)中高效地將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電力,支持高效的能量轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)穩(wěn)定性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛