### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP147N03L G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET，采用TO220封裝。它具有高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻，非常適合用于要求高效率和低功耗的應(yīng)用。該MOSFET 的最大漏源電壓為30V，最大漏極電流可達(dá)80A。其閾值電壓為1.7V，保證了較低的柵源電壓即可有效導(dǎo)通。導(dǎo)通電阻在VGS=4.5V時(shí)為9mΩ，在VGS=10V時(shí)為6mΩ，使得在高電流應(yīng)用中能顯著減少功耗和發(fā)熱。IPP147N03L G-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)（Trench），具有優(yōu)良的開關(guān)性能和熱管理能力。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**：TO220
- **配置**：?jiǎn)蜰溝道
- **最大漏源電壓（VDS）**：30V
- **最大柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：
- VGS=4.5V 時(shí)為 9mΩ
- VGS=10V 時(shí)為 6mΩ
- **最大漏極電流（ID）**：80A
- **技術(shù)類型**：溝槽MOSFET（Trench）
- **工作溫度范圍**：-55°C 至 +175°C
- **封裝引腳配置**：3引腳（Drain、Gate、Source）
### 三、適用領(lǐng)域與模塊示例
1. **開關(guān)電源（SMPS）**：IPP147N03L G-VB 在開關(guān)電源應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合作為開關(guān)元件，提高電源效率并減少能量損耗。這使其成為電源適配器、計(jì)算機(jī)電源等設(shè)備的理想選擇。
2. **電動(dòng)汽車（EV）**：該MOSFET 適用于電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效控制電池電流，提高電動(dòng)汽車的性能和可靠性，并延長(zhǎng)電池壽命。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**：在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，IPP147N03L G-VB 能夠處理高電流負(fù)載，適用于各種電機(jī)控制應(yīng)用。它的優(yōu)良散熱性能和低功耗特性有助于電機(jī)在負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行，廣泛應(yīng)用于工業(yè)和家用電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
4. **電池保護(hù)電路**：該MOSFET 也適用于電池保護(hù)電路，特別是在鋰電池管理系統(tǒng)中。它能夠有效地處理大電流，保護(hù)電池免受過流和過壓影響，確保電池的安全運(yùn)行。
5. **逆變器**：在逆變器系統(tǒng)中，IPP147N03L G-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻對(duì)于處理功率轉(zhuǎn)換非常重要。它能夠提高逆變器的效率和穩(wěn)定性，適用于太陽(yáng)能逆變器、UPS系統(tǒng)等高功率逆變器應(yīng)用。
