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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP147N12N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP147N12N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 9mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介(IPP147N12N3 G-VB)

IPP147N12N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-220。該 MOSFET 設(shè)計(jì)用于中高電壓和大電流應(yīng)用,具有 100V 的擊穿電壓和高達(dá) 100A 的最大連續(xù)漏極電流。采用 Trench 技術(shù),該 MOSFET 提供了優(yōu)異的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻,使其在高電流和高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。這使得 IPP147N12N3 G-VB 非常適合用于需要高效能和高可靠性的電路設(shè)計(jì)中。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO-220  
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道  
- **擊穿電壓 VDS**:100V  
- **柵源電壓 VGS**:±20V  
- **開啟電壓 Vth**:2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 RDS(ON)**:
 - 20mΩ@VGS = 4.5V
 - 9mΩ@VGS = 10V  
- **最大連續(xù)漏極電流 ID**:100A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:IPP147N12N3 G-VB 適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高電流開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高電流負(fù)載下提供高效能和穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換,適合用于電源管理系統(tǒng)中。

2. **電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制中,該 MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻非常有用。它能夠有效地處理電池充電和電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的大電流需求,提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

3. **工業(yè)電源和逆變器**:IPP147N12N3 G-VB 可以在工業(yè)電源和逆變器系統(tǒng)中作為開關(guān)元件使用。其高電壓和高電流能力使其適合用于處理大功率負(fù)載,提高電源轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。

4. **充電器和焊接設(shè)備**:在高功率充電器和焊接設(shè)備中,該 MOSFET 可以用作高電流開關(guān)。其低導(dǎo)通電阻減少了功率損耗,確保設(shè)備在高功率負(fù)載下的高效運(yùn)行和長期穩(wěn)定性。

5. **電力調(diào)節(jié)器**:在電力調(diào)節(jié)器中,IPP147N12N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保了對(duì)電力負(fù)載的精確控制和調(diào)節(jié)。適用于各種電力調(diào)節(jié)和控制模塊,提高整體系統(tǒng)的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。

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