chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

IPP14N03LA-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP14N03LA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡介:**

IPP14N03LA-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝設計,專為低電壓和高電流應用優(yōu)化。其漏源電壓 (VDS) 為 30V,最大柵極電壓 (VGS) 為 ±20V。該 MOSFET 采用先進的溝槽(Trench)技術(shù),具有非常低的導通電阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時為 9mΩ,在 VGS=10V 時為 6mΩ,支持高達 80A 的漏極電流 (ID)。這些特性使其在低電壓、高電流應用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合用于要求高效率和高可靠性的電源管理系統(tǒng)。

**二、詳細參數(shù)說明:**

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 6mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:80A
- **技術(shù)**:溝槽(Trench)技術(shù)

**三、適用領域和模塊:**

1. **電源管理系統(tǒng)**:IPP14N03LA-VB 適用于各種電源管理系統(tǒng)中的開關元件,如開關電源(SMPS)和電壓調(diào)節(jié)器。其低導通電阻和高電流處理能力確保在電源轉(zhuǎn)換過程中高效穩(wěn)定地傳輸電流,減少功率損失,提高整體系統(tǒng)效率。

2. **電動工具**:在電動工具中,這款 MOSFET 可以用作電機驅(qū)動和電源開關。其高電流承載能力和低 RDS(ON) 特性使其能夠在高功率和頻繁開關的工作環(huán)境中提供可靠的電流控制。

3. **汽車電子**:IPP14N03LA-VB 在汽車電子系統(tǒng)中也具有廣泛應用,如車載電源管理模塊和電機控制系統(tǒng)。其低導通電阻和高電流處理能力適合用于汽車中需要高效率和穩(wěn)定性的電源開關和驅(qū)動控制。

4. **LED 驅(qū)動器**:該 MOSFET 適合用于 LED 照明系統(tǒng)中的驅(qū)動模塊。其低導通電阻和高電流能力確保了在 LED 照明系統(tǒng)中高效穩(wěn)定的電流驅(qū)動,提高光源的亮度和壽命。

5. **低電壓電池保護**:在低電壓電池管理系統(tǒng)中,IPP14N03LA-VB 可以用于電池保護電路,防止過流和過熱情況。其高電流處理能力和低導通電阻確保了電池安全,并提高了系統(tǒng)的整體可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    69瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    55瀏覽量