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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP22N03S4L-15-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP22N03S4L-15-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介
IPP22N03S4L-15-VB是一款高性能N溝道MOSFET,封裝形式為TO220,采用Trench技術設計。它具有30V的漏源耐壓和高達80A的漏極電流能力。該MOSFET的開啟閾值電壓為1.7V,并且在4.5V柵極驅(qū)動下,導通電阻為9mΩ,在10V柵極驅(qū)動下降至6mΩ。其優(yōu)異的導通特性和高電流處理能力使其非常適合于需要高效能開關的各種應用。

### 二、詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 6mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 80A
- **技術**: Trench

### 三、適用領域及模塊
IPP22N03S4L-15-VB MOSFET的高電流能力和低導通電阻使其適用于以下領域和模塊:

1. **電源管理**:在電源轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)模塊中,特別是在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,IPP22N03S4L-15-VB可以作為高效的開關元件使用。其低導通電阻有助于減少功率損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率,適合于電腦電源、通信設備電源和其他電子設備中。

2. **電機驅(qū)動**:在電動機驅(qū)動系統(tǒng)中,尤其是要求較高電流處理的應用,如電動汽車、電動工具和工業(yè)電機控制,IPP22N03S4L-15-VB可以用于電機的開關和調(diào)速控制。其高電流處理能力和低功耗特性確保電機運行的穩(wěn)定性和效率。

3. **LED驅(qū)動**:在高功率LED驅(qū)動電路中,該MOSFET可以作為開關元件,控制LED的開關和亮度調(diào)節(jié)。其優(yōu)良的導通特性使其在高效LED照明系統(tǒng)中表現(xiàn)突出,減少了功率損耗,提高了系統(tǒng)的整體效率。

4. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,例如電源開關、燈光控制和電池管理系統(tǒng),IPP22N03S4L-15-VB可以用于高效的電流控制和開關應用。其高電流能力和低導通電阻對于汽車電子系統(tǒng)的可靠性和能效至關重要。

總之,IPP22N03S4L-15-VB MOSFET在高電流、高效率的開關應用中表現(xiàn)出色,適用于電源管理、電機驅(qū)動、LED驅(qū)動和汽車電子等多個領域。

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