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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP35CN10N G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP35CN10N G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 36mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP35CN10N G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:
IPP35CN10N G-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,封裝為TO220,具備100V的漏源電壓(VDS)和55A的漏極電流(ID)。該MOSFET采用Trench技術(shù)設(shè)計,專為高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用而優(yōu)化。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為38mΩ(VGS=4.5V)和36mΩ(VGS=10V),在不同柵源電壓下提供穩(wěn)定的性能。IPP35CN10N G-VB適用于高功率電源管理、開關(guān)電路以及要求高可靠性的應(yīng)用場景。

### 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 38mΩ @ VGS=4.5V
 - 36mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:55A
- **技術(shù)**:Trench
- **工作溫度范圍**:通常在-55°C至+175°C
- **柵極電荷(Qg)**:典型值為120nC,確保高效快速的開關(guān)響應(yīng)
- **功率耗散**:80W

### 適用領(lǐng)域及模塊舉例:
1. **中功率DC-DC轉(zhuǎn)換器**:IPP35CN10N G-VB的低導(dǎo)通電阻和適中的電流處理能力使其非常適合用于中功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中,如工業(yè)電源模塊或通信設(shè)備電源。這款MOSFET能有效提升轉(zhuǎn)換效率和減少功耗,增強電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

2. **電動工具**:在電動工具的電源控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用作電機驅(qū)動的開關(guān)組件。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻能夠在高負載情況下保持穩(wěn)定的性能,提高工具的操作效率和可靠性。

3. **汽車電子**:IPP35CN10N G-VB適合用于汽車電子系統(tǒng)中,例如車載電源管理和電池開關(guān)控制。其優(yōu)秀的開關(guān)性能和高電流能力可以滿足汽車電子系統(tǒng)對高可靠性和長壽命的要求。

4. **家用電器**:在家用電器的電源管理模塊中,如智能家居設(shè)備和家電控制器,這款MOSFET能夠提供穩(wěn)定的電流開關(guān)和低功耗性能。其低導(dǎo)通電阻確保電器在高負載條件下的高效能和穩(wěn)定運行。

總結(jié)而言,IPP35CN10N G-VB MOSFET因其高電壓和電流處理能力、較低的導(dǎo)通電阻以及高效的開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于中功率電源管理、電動工具、汽車電子和家用電器等領(lǐng)域,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。

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