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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP45N06S4L-08-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP45N06S4L-08-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP45N06S4L-08-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
IPP45N06S4L-08-VB 是一款高性能N通道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù),封裝為TO220。這款MOSFET具有卓越的電氣性能,適用于要求高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。其漏源電壓(VDS)額定為60V,能夠處理高達(dá)120A的連續(xù)漏電流。MOSFET在VGS=10V時的低RDS(ON)為5mΩ,確保了最低的導(dǎo)通損耗和熱量生成,從而顯著提高了系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝:** TO220
- **配置:** 單N通道
- **漏源電壓(VDS):** 60V
- **柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **RDS(ON)(漏源導(dǎo)通電阻):** 5mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏電流(ID):** 120A
- **技術(shù):** Trench技術(shù),提供優(yōu)異的開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **電源管理:** IPP45N06S4L-08-VB 被廣泛應(yīng)用于電源管理系統(tǒng),如開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其低RDS(ON)值和高電流處理能力使其在減少功耗和提升轉(zhuǎn)換效率方面表現(xiàn)出色,適合高性能電源應(yīng)用。

2. **汽車電子:** 在汽車電子系統(tǒng)中,特別是在電動機(jī)控制和電池管理系統(tǒng)(BMS)中,該MOSFET能夠有效處理高電流和高電壓情況。其優(yōu)異的電氣特性確保了電機(jī)控制和電源開關(guān)的可靠性和高效能。

3. **工業(yè)控制:** IPP45N06S4L-08-VB 也適用于各種工業(yè)控制應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動、自動化設(shè)備和大功率開關(guān)。其強(qiáng)大的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行,提高工業(yè)設(shè)備的效率和可靠性。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品:** 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如計(jì)算機(jī)電源、智能設(shè)備和充電器,這款MOSFET能夠提供高效的電源開關(guān)和電池管理功能。其低功耗特性和高效能確保設(shè)備在長時間運(yùn)行中保持穩(wěn)定性能。

IPP45N06S4L-08-VB憑借其出色的電氣性能和廣泛的適應(yīng)性,成為多個領(lǐng)域中高效能和高可靠性的理想選擇。

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