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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP600N25N3G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP600N25N3G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 41mΩ@VGS=10V
  • ID 50A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介(IPP600N25N3G-VB)

IPP600N25N3G-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO-220 封裝,適用于高電壓和中等電流應(yīng)用。該器件具備 250V 的擊穿電壓和高達(dá) 50A 的漏極電流能力,采用 Trench 技術(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)特性。這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)注重高效率和可靠性,適合在電力管理和工業(yè)應(yīng)用中用作功率開關(guān)和控制組件。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO-220  
- **配置**:單 N 溝道  
- **擊穿電壓 VDS**:250V  
- **柵源電壓 VGS**:±20V  
- **開啟電壓 Vth**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 RDS(ON)**:41mΩ @ VGS = 10V  
- **最大連續(xù)漏極電流 ID**:50A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **逆變器與電源轉(zhuǎn)換器**:IPP600N25N3G-VB 適用于高電壓的逆變器和 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器中。在這些系統(tǒng)中,它可以作為功率開關(guān),幫助實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,其 250V 的擊穿電壓非常適合處理高電壓輸入。

2. **太陽能發(fā)電系統(tǒng)**:該 MOSFET 在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中可以用于功率轉(zhuǎn)換模塊,通過低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有效提升功率傳輸效率,確保太陽能板到電網(wǎng)的能量傳輸穩(wěn)定和可靠。

3. **電機(jī)控制與驅(qū)動**:IPP600N25N3G-VB 可用于工業(yè)和商用電機(jī)控制系統(tǒng)中,特別是在要求處理較高電壓和中等電流的場合,如伺服電機(jī)和工業(yè)機(jī)器人控制,其低 RDS(ON) 能夠減少電機(jī)驅(qū)動中的功耗和發(fā)熱。

4. **UPS(不間斷電源)和備用電源**:在 UPS 系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用作功率開關(guān)器件,以確保在電源切換時的可靠性和穩(wěn)定性。它的高電壓承受能力和高效開關(guān)特性在這種應(yīng)急電源應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。

5. **工業(yè)電源管理**:IPP600N25N3G-VB 適用于工業(yè)環(huán)境下的電源管理系統(tǒng),如工廠自動化、電力傳輸設(shè)備和大功率負(fù)載開關(guān)控制等。這些系統(tǒng)通常要求設(shè)備具有較高的耐壓和較好的電流處理能力,該器件完全符合這些需求。

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