### 一、IPP60R190E6-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPP60R190E6-VB 是一款采用 TO220 封裝的單通道 N 型 MOSFET，主要用于高壓應(yīng)用。其具備 650V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源極電壓 (VGS)，能夠在較高的電壓下穩(wěn)定工作。該器件的開啟電壓為 3.5V (Vth)，并且在 VGS 為 10V 時(shí)，其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 160mΩ，具有較低的導(dǎo)通損耗。此外，該產(chǎn)品能夠承載 20A 的電流，采用了超結(jié) (Super Junction) 多重 EPI 技術(shù)，使其具備了更好的導(dǎo)通效率和熱管理能力，適合高效能應(yīng)用場(chǎng)景。

### 二、IPP60R190E6-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **封裝類型**：TO220
2. **配置**：?jiǎn)瓮ǖ?N 型 MOSFET
3. **漏源極電壓 (VDS)**：650V
4. **柵源極電壓 (VGS)**：±30V
5. **開啟電壓 (Vth)**：3.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：160mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**：20A
8. **技術(shù)類型**：超結(jié) (Super Junction) 多重 EPI 技術(shù)
9. **工作溫度范圍**：-55°C ~ 150°C
10. **熱阻**：典型值 1.1°C/W (結(jié)殼)
11. **功率耗散**：典型值 80W
12. **封裝尺寸**：TO220 外形尺寸，適合通過孔焊接或散熱器安裝

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**：IPP60R190E6-VB 適用于高效開關(guān)模式電源設(shè)計(jì)，特別是在高壓 AC-DC 轉(zhuǎn)換中。其高耐壓和低導(dǎo)通損耗使其能夠處理高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景，如服務(wù)器電源和工業(yè)電源。

2. **逆變器與變頻器**：該 MOSFET 可用于太陽能逆變器、風(fēng)能發(fā)電設(shè)備，以及工業(yè)電機(jī)控制中的變頻器模塊。超結(jié)技術(shù)帶來的低導(dǎo)通損耗和高效熱管理能力使其適合需要長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作的高功率設(shè)備。

3. **電動(dòng)汽車 (EV) 充電器**：IPP60R190E6-VB 的高耐壓特性以及大電流承載能力，使其成為電動(dòng)汽車充電樁中關(guān)鍵的功率開關(guān)器件。它能夠有效地控制能量轉(zhuǎn)換，保證系統(tǒng)的高效率和低熱損耗。

4. **照明電源**：在 LED 照明和其他大功率照明電源中，IPP60R190E6-VB 提供了良好的高壓切換能力，適合用于驅(qū)動(dòng)大功率 LED 模塊或 HID 燈具。

5. **工業(yè)設(shè)備**：工業(yè)用的高壓電源控制和變壓器中，也廣泛使用該 MOSFET，能夠應(yīng)對(duì)惡劣的工作環(huán)境，并維持穩(wěn)定的功率傳輸。

綜上所述，IPP60R190E6-VB 作為高壓、高效的 MOSFET，適合在高功率轉(zhuǎn)換、能源管理和工業(yè)控制等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。