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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP60R199CP-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP60R199CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP60R199CP-VB 產(chǎn)品簡介
IPP60R199CP-VB 是一種N溝道功率MOSFET,封裝為TO-220,采用超級結(jié)(Super Junction, SJ)技術(shù)中的多重外延(Multi-EPI)工藝。該器件具有高耐壓能力,最大漏源電壓(VDS)可達650V,適用于高電壓應(yīng)用場景。其開態(tài)電阻(RDS(ON))較低,在VGS=10V時為160mΩ,能夠提供較高的電流處理能力,最大漏極電流(ID)為20A,適合用于高效能的開關(guān)電源(SMPS)和功率轉(zhuǎn)換電路。

### 二、IPP60R199CP-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO-220  
- **溝道配置**:單N溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:20A  
- **功耗**: 線性功耗需依設(shè)計環(huán)境計算  
- **工作溫度范圍**:標準工作溫度范圍寬廣,具體數(shù)值視應(yīng)用而定  
- **技術(shù)**:Super Junction (SJ) 多重外延(Multi-EPI)  

### 三、IPP60R199CP-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **開關(guān)電源(SMPS)**:IPP60R199CP-VB 由于其高耐壓和低導(dǎo)通電阻,非常適用于中高功率的開關(guān)電源設(shè)計。在電源轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)中,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的效率,減少功耗和發(fā)熱量。
 
2. **光伏逆變器**:該型號MOSFET 的高電壓特性和快速開關(guān)速度,使其成為光伏逆變器中直流轉(zhuǎn)換器和逆變模塊的理想選擇。它能夠處理逆變器中的高電壓和高電流,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行。

3. **電機驅(qū)動**:在工業(yè)應(yīng)用中,電機驅(qū)動器需要處理高壓和大電流的工作環(huán)境,IPP60R199CP-VB 的650V耐壓可以安全地用于各種工業(yè)電機驅(qū)動模塊,特別是在需要高效能和穩(wěn)定運行的場景中。

4. **電源管理系統(tǒng)**:IPP60R199CP-VB 可用于各種需要高效率和高壓耐受能力的電源管理系統(tǒng)模塊,如不間斷電源(UPS)和電池管理系統(tǒng)。

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