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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP65R190C6-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP65R190C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 210mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP65R190C6-VB 產(chǎn)品簡介
IPP65R190C6-VB 是一種N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝,利用Super Junction(SJ)技術(shù)中的多重外延(Multi-EPI)工藝制造。該MOSFET具有高達(dá)700V的最大漏源電壓(VDS),適用于高電壓環(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時為210mΩ,能夠支持最大20A的漏極電流(ID)。這使得IPP65R190C6-VB 在需要高電壓、高電流且要求高效能的場合中表現(xiàn)優(yōu)異。

### 二、IPP65R190C6-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO-220  
- **溝道配置**:單N溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:700V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:210mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:20A  
- **功耗**:根據(jù)具體應(yīng)用和散熱條件而定  
- **工作溫度范圍**:寬廣的工作溫度范圍,具體依實際應(yīng)用環(huán)境而定  
- **技術(shù)**:Super Junction (SJ) 多重外延(Multi-EPI)  

### 三、IPP65R190C6-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高壓開關(guān)電源**:IPP65R190C6-VB 的700V耐壓能力使其非常適合用于高壓開關(guān)電源設(shè)計。這種MOSFET 可以在高電壓條件下高效開關(guān),有助于提升電源的整體效率,減少功耗和發(fā)熱。

2. **光伏逆變器**:在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,逆變器需處理高電壓直流電源。IPP65R190C6-VB 的高耐壓特性使其成為光伏逆變器中的關(guān)鍵組件,能夠穩(wěn)定地處理光伏系統(tǒng)中的高電壓輸出。

3. **電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)**:在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,特別是需要高電壓驅(qū)動的場景,IPP65R190C6-VB 提供了高效的開關(guān)性能和高電流承受能力。這使得它適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器及其他高功率電機(jī)控制模塊。

4. **高壓電源管理**:該MOSFET 可以用于各種高壓電源管理系統(tǒng),包括不間斷電源(UPS)和高電壓電池管理系統(tǒng)。它的高電壓和高電流處理能力確保了系統(tǒng)在高負(fù)載和高電壓條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

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