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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPW60R190C6-VB一款TO247封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPW60R190C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
IPW60R190C6-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用超結(jié)(SJ)多重外延(Multi-EPI)技術(shù),封裝為TO247。它設(shè)計(jì)用于高壓高效應(yīng)用,具有650V的漏源極電壓(VDS)和±30V的柵源極電壓(VGS),確保了穩(wěn)定的高壓操作。其開啟電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為160mΩ(@VGS=10V),最大漏極電流(ID)為20A。IPW60R190C6-VB 適用于需要高效開關(guān)和高壓管理的電源和工業(yè)應(yīng)用中,尤其適合逆變器和電源轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **封裝類型**:TO247
- **溝道類型**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **開啟電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:20A
- **技術(shù)類型**:超結(jié)(SJ)+ 多重外延(Multi-EPI)技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **功率耗散 (PD)**:適合高功率應(yīng)用場(chǎng)景
- **開關(guān)頻率**:適應(yīng)高頻操作

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:**

1. **工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器**:IPW60R190C6-VB 的650V高耐壓和低導(dǎo)通電阻,使其在工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器中,如AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色。它能確保系統(tǒng)在高電壓下穩(wěn)定工作,同時(shí)降低功率損耗,從而提升系統(tǒng)整體效率。

2. **開關(guān)模式電源 (SMPS)**:在開關(guān)模式電源中,MOSFET 是主要的開關(guān)元件。IPW60R190C6-VB 能提供高效的開關(guān)特性,適合用于高壓SMPS電源中,如通信設(shè)備電源、工業(yè)控制電源和服務(wù)器電源。

3. **光伏逆變器**:在太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)中,該MOSFET 可用于逆變器部分,通過(guò)高效能的開關(guān)操作,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,確保系統(tǒng)高效能和穩(wěn)定性,尤其適合處理高電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:IPW60R190C6-VB 適用于高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,尤其在工業(yè)或家用電機(jī)控制系統(tǒng)中,能夠處理較高電壓并提供可靠的電流控制,確保電機(jī)穩(wěn)定、高效的工作。

5. **電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)中,MOSFET 通常用于高壓直流充電部分,IPW60R190C6-VB 的高電壓處理能力和良好的開關(guān)性能能夠提高充電效率,減少熱損耗并提高安全性。

這些應(yīng)用展示了IPW60R190C6-VB 在高效電源管理和控制模塊中的廣泛適用性,尤其是在需要高壓處理和開關(guān)效率的工業(yè)、能源和電動(dòng)系統(tǒng)領(lǐng)域中。

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