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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPW60R190E6-VB一款TO247封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPW60R190E6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPW60R190E6-VB 產(chǎn)品簡介
IPW60R190E6-VB 是一款采用TO247封裝的N溝道MOSFET,設(shè)計(jì)用于高電壓和高功率應(yīng)用。其漏源極電壓(VDS)高達(dá)650V,柵源極電壓(VGS)為±30V,最大漏極電流為20A,適合在高功率轉(zhuǎn)換場景中使用。該MOSFET利用SJ(超結(jié))多重外延技術(shù)(SJ_Multi-EPI),在高電壓環(huán)境下提供低導(dǎo)通電阻(160mΩ @ VGS=10V),有效減少功耗并提高系統(tǒng)的效率,非常適合工業(yè)和消費(fèi)電子的高效功率管理應(yīng)用。

### IPW60R190E6-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO247
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:20A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI 超結(jié)多重外延技術(shù)
- **其他特點(diǎn)**:
 - 高電壓和高電流處理能力
 - 低導(dǎo)通電阻,減少功率損耗
 - 超結(jié)技術(shù)提供更高的效率和開關(guān)速度
 - 高可靠性和熱管理能力,適用于嚴(yán)苛的應(yīng)用場景

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器**:IPW60R190E6-VB 特別適用于工業(yè)用AC-DC和DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,能夠在高電壓操作條件下提供高效的電流傳輸。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力確保了高效率和低功耗,適合用于大型工業(yè)設(shè)備中的電源管理模塊。

2. **光伏逆變器**:在太陽能光伏系統(tǒng)中,IPW60R190E6-VB 可用于高效逆變器模塊,處理從太陽能面板生成的高電壓輸入,并將其轉(zhuǎn)換為適合使用的交流電。該器件的高電壓能力和高可靠性使其能夠在惡劣的環(huán)境中保持穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **電動汽車充電器**:這款MOSFET在電動汽車的高功率充電器中表現(xiàn)出色。其650V的耐壓和低導(dǎo)通電阻使其能夠快速處理大電流充電操作,有效縮短充電時(shí)間并減少充電過程中的能量損耗。

4. **不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)**:IPW60R190E6-VB 適用于不間斷電源系統(tǒng)中的高電壓開關(guān)模塊,確保在電源故障時(shí)快速響應(yīng),為關(guān)鍵系統(tǒng)提供持續(xù)電力支持。其快速開關(guān)速度和高效電流處理能力在UPS系統(tǒng)中尤為重要。

該器件憑借其卓越的高電壓、高電流處理能力和高效率,廣泛適用于電力電子、能源系統(tǒng)和汽車行業(yè)中的高效功率轉(zhuǎn)換和管理模塊。

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