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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPW60R199CP-VB一款TO247封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPW60R199CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW60R199CP-VB 產(chǎn)品簡介
IPW60R199CP-VB 是一款高壓N溝道MOSFET,采用 TO247 封裝,專為高壓和高效率應用設計。其最大漏源極電壓為650V,漏極電流為20A,采用了SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延)技術,能夠在高電壓下實現(xiàn)低導通電阻(RDS(ON))。該MOSFET在各種功率管理和電源轉(zhuǎn)換應用中表現(xiàn)出色,特別適合于需要高功率密度和高效率的場景。

### 二、詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO247  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:160mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:20A  
- **技術**:SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延技術)  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **功耗 (Ptot)**:125W(在25°C時)

### 三、應用領域及模塊示例
1. **高效開關電源(SMPS)**:IPW60R199CP-VB 適用于中高功率的開關電源系統(tǒng),例如AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其650V的高電壓承受能力和相對較低的導通電阻使其能夠在高效的能量轉(zhuǎn)換應用中減少損耗,提升整體系統(tǒng)效率。

2. **工業(yè)自動化和驅(qū)動**:在工業(yè)控制系統(tǒng)和電機驅(qū)動中,IPW60R199CP-VB 提供了高電壓控制能力和穩(wěn)定的電流輸出,非常適合用于需要高電壓和高可靠性的場景,例如工業(yè)逆變器和電機控制器。

3. **可再生能源系統(tǒng)**:在風能和太陽能逆變器中,該MOSFET可以高效管理逆變過程中的高電壓和高功率,確保能量從直流轉(zhuǎn)換為交流時的穩(wěn)定性和效率。此外,它也可用于大功率的電池管理和能源儲存系統(tǒng)。

4. **功率因數(shù)校正 (PFC)**:IPW60R199CP-VB 也廣泛應用于需要高電壓和高效功率因數(shù)校正的模塊中。在這些應用中,該MOSFET可以減少損耗,提升能效并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

通過這些應用領域的示例,IPW60R199CP-VB 在需要高電壓、高功率和高效率的應用中發(fā)揮重要作用。其強大的性能使其成為工業(yè)、可再生能源和電力電子領域的理想選擇。

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