chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

IPW60R250CP-VB一款TO247封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPW60R250CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW60R250CP-VB 產(chǎn)品簡介

IPW60R250CP-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO247封裝,專為高電壓應用設計,最大漏源電壓為650V,能夠處理較高的電壓需求。該器件具備±30V的柵源電壓,閾值電壓為3.5V。其導通電阻為160mΩ@VGS=10V,漏極電流最大為20A。該MOSFET采用超級結(Super Junction)多層外延(SJ_Multi-EPI)技術,確保在高壓應用中的高效性能和低損耗,特別適用于開關電源、功率轉換等領域,提供卓越的能效和熱管理能力。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝**:TO247
- **類型**:單N溝道
- **VDS** (漏源電壓):650V
- **VGS** (柵源電壓):±30V
- **Vth** (閾值電壓):3.5V
- **RDS(ON)** (導通電阻):160mΩ@VGS=10V
- **ID** (漏極電流):20A
- **技術**:超級結 (SJ_Multi-EPI) 技術
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C

該MOSFET結合高電壓耐受性和較低的導通電阻,適合用于大功率電源管理和開關應用。

### 三、應用領域及模塊舉例

IPW60R250CP-VB 適用于以下領域:

1. **工業(yè)級開關電源(SMPS)**:
  - 該器件在開關模式電源中表現(xiàn)出色,尤其適合處理高電壓輸入和輸出的應用場景,如工業(yè)電源轉換系統(tǒng)。其低導通電阻和高電流處理能力確保了高效的功率轉換和穩(wěn)定性。

2. **照明驅動電路**:
  - 適用于高功率LED照明驅動電路,尤其是在需要高電壓控制的應用中。IPW60R250CP-VB 能夠提供穩(wěn)定的電流和電壓輸出,確保照明系統(tǒng)的長時間可靠運行。

3. **不間斷電源(UPS)**:
  - 在UPS系統(tǒng)中,該MOSFET用作逆變器和整流器的核心器件,能夠處理高電壓轉換,并提供低損耗和高效率,確保UPS系統(tǒng)的平穩(wěn)運行和穩(wěn)定的輸出功率。

4. **電動車充電設備**:
  - 由于其高電壓承受能力和高效的電流處理能力,該MOSFET非常適合應用在電動汽車的充電系統(tǒng)中,能夠高效處理充電過程中的高電流需求,同時確保系統(tǒng)的安全性和能效。

IPW60R250CP-VB 的高壓處理能力和低導通電阻使其在高功率開關電源、照明驅動電路、UPS以及電動車充電設備等領域有著廣泛的應用。其出色的效率和耐用性使得它在這些領域中成為理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    73瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    59瀏覽量