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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPW60R280C6-VB一款TO247封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPW60R280C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 300mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW60R280C6-VB 產(chǎn)品簡介

IPW60R280C6-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,封裝形式為TO247,適用于各種高電壓和高效率應(yīng)用。其650V的擊穿電壓、300mΩ的導(dǎo)通電阻以及15A的漏極電流,使其能夠在高壓環(huán)境下有效地控制大電流。該產(chǎn)品采用了超級結(jié)(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技術(shù),能夠顯著降低開關(guān)損耗,同時提升系統(tǒng)的效率。它廣泛應(yīng)用于電源管理、逆變器、電機(jī)控制等高性能電力設(shè)備中。

### 二、IPW60R280C6-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO247
- **配置**:單N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**:650V
- **柵極驅(qū)動電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:300mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:15A
- **技術(shù)**:超級結(jié)(SJ)多重外延(Multi-EPI)
- **功耗 (Ptot)**:125W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **開關(guān)速度**:快速開關(guān)能力
- **封裝引腳數(shù)**:3引腳

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高效開關(guān)電源(SMPS)**:IPW60R280C6-VB 適用于需要高電壓和高效率的開關(guān)電源系統(tǒng),如服務(wù)器電源和通信設(shè)備電源。其650V的高耐壓和低開關(guān)損耗特性,使其在高壓電源設(shè)計中發(fā)揮關(guān)鍵作用,確保能量損耗最小化,并實現(xiàn)穩(wěn)健的電源管理。

2. **太陽能逆變器**:該MOSFET 在太陽能逆變器應(yīng)用中具有重要作用。其高電壓和較低的導(dǎo)通電阻,使其能夠有效處理光伏系統(tǒng)中的高電壓輸入,確保電能的高效逆變,并為家庭和工業(yè)光伏系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電力輸出。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動**:IPW60R280C6-VB 在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中表現(xiàn)出色。它能夠處理電機(jī)控制過程中所需的高電流和高壓,適用于大功率電機(jī)的驅(qū)動系統(tǒng),并確保工業(yè)設(shè)備的平穩(wěn)運行和高效控制。

4. **不間斷電源(UPS)**:在UPS系統(tǒng)中,該MOSFET 可以通過其高電壓處理能力和較低的導(dǎo)通損耗,確保電力中斷時穩(wěn)定地提供備用電力,確保關(guān)鍵系統(tǒng)的持續(xù)運行。

5. **高壓電池管理系統(tǒng)(BMS)**:該MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中有助于高效地管理電池的充電和放電過程,尤其是在高壓電池系統(tǒng)中。它可以為電池組提供可靠的電源管理,延長電池壽命并提升系統(tǒng)性能。

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