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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPW60R280E6-VB一款TO247封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPW60R280E6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 300mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

一、產(chǎn)品簡介
IPW60R280E6-VB 是一款采用TO247封裝的單N溝道MOSFET,設(shè)計用于高壓和中等電流應(yīng)用。該器件具有650V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS)承受能力,適合在高功率電力系統(tǒng)中使用。它采用了超級結(jié)(SJ)多層外延(Multi-EPI)技術(shù),在實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的同時,提供了優(yōu)異的開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻為300mΩ(在VGS為10V時),最大漏極電流為15A,適用于電源轉(zhuǎn)換、電力電子控制等場合。該產(chǎn)品具有高效能和穩(wěn)定性,在要求高電壓和開關(guān)性能的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

二、詳細參數(shù)說明
封裝:TO247
配置:單N溝道
漏源電壓(VDS):650V
柵源電壓(VGS):±30V
閾值電壓(Vth):3.5V
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):300mΩ @ VGS = 10V
漏極電流(ID):15A
技術(shù):SJ_Multi-EPI
開關(guān)性能:具有優(yōu)異的開關(guān)速度和效率
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
高壓開關(guān)模式電源(SMPS)
IPW60R280E6-VB 適用于高壓開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換和管理。該器件可以在服務(wù)器電源、工業(yè)電源以及消費類電子產(chǎn)品的高壓應(yīng)用中提供穩(wěn)定的電力管理和高效的能量轉(zhuǎn)換,其650V的高耐壓特性確保了安全和可靠的操作。

電機驅(qū)動和控制系統(tǒng)
在電機驅(qū)動和控制領(lǐng)域,該MOSFET適用于各種中等功率電動設(shè)備和工業(yè)驅(qū)動系統(tǒng)中。其15A的電流處理能力使其適用于需要高效電流控制的場合,如電動工具和工業(yè)自動化設(shè)備,確保高效能和穩(wěn)定的操作。

可再生能源系統(tǒng)中的功率逆變器
該MOSFET可用于可再生能源系統(tǒng)中的逆變器模塊,例如太陽能光伏系統(tǒng)和風(fēng)力發(fā)電機。由于其650V的高耐壓特性,能夠有效處理高電壓電流轉(zhuǎn)換,幫助提高系統(tǒng)效率并延長設(shè)備使用壽命。

電力管理模塊
IPW60R280E6-VB 在高壓電源調(diào)節(jié)、DC-DC轉(zhuǎn)換以及其他電力管理模塊中具有廣泛的應(yīng)用。其多層外延技術(shù)提高了開關(guān)效率,并降低了開關(guān)損耗,非常適合需要高電壓開關(guān)的電力控制和管理場景。

 

 

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