--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO247
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 300mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IPW60R299CP-VB 產(chǎn)品簡介
IPW60R299CP-VB 是一款單通道 N 型 MOSFET,采用 TO247 封裝,專為高電壓和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源極電壓 (VDS) 高達(dá) 650V,能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。柵源極電壓 (VGS) 額定為 ±30V,開啟電壓 (Vth) 為 3.5V,使其在低柵極電壓下能夠有效開關(guān)。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 10V 時(shí)為 300mΩ,最大漏極電流 (ID) 為 15A。采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),這款 MOSFET 提供了優(yōu)異的開關(guān)性能和功率密度,適用于需要高電壓和中等電流的場合。
### 二、IPW60R299CP-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
1. **封裝類型**:TO247
2. **配置**:單通道 N 型 MOSFET
3. **漏源極電壓 (VDS)**:650V
4. **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
5. **開啟電壓 (Vth)**:3.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 300mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:15A
8. **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI 技術(shù)
9. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
10. **熱阻**:典型值 1.5°C/W (結(jié)到殼)
11. **功率耗散**:110W
12. **開關(guān)速度**:具有較好的開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用
13. **封裝尺寸**:TO247 封裝,適合高功率散熱和安裝需求
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:IPW60R299CP-VB 在高電壓開關(guān)電源中適用,尤其是在工業(yè)電源和高功率變換器中。其高電壓承受能力和適中的導(dǎo)通電阻確保了高效能的電力轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于需要穩(wěn)定電力供應(yīng)的設(shè)備,如電源適配器和電力轉(zhuǎn)換模塊。
2. **太陽能逆變器**:該 MOSFET 在太陽能光伏逆變器中也有重要應(yīng)用。其高電壓和中等電流處理能力使其能夠有效地處理太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的電力轉(zhuǎn)換需求,同時(shí)其良好的開關(guān)性能有助于提高系統(tǒng)的整體效率。
3. **電動(dòng)汽車充電器**:IPW60R299CP-VB 可以用于電動(dòng)汽車充電器中,處理充電過程中的高電壓需求。它能夠在充電過程中提供可靠的電流,并保持高效率,適合用于快速充電器和高功率充電系統(tǒng)。
4. **高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 的高電壓承受能力和適中的導(dǎo)通電阻確保了電能的有效轉(zhuǎn)換。適用于高壓電力電子設(shè)備,如通信基站電源和工業(yè)控制系統(tǒng)中的電壓轉(zhuǎn)換模塊。
5. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:IPW60R299CP-VB 也適用于高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。在驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī)時(shí),該 MOSFET 能夠提供必要的電流并維持系統(tǒng)的高效率,常用于工業(yè)電機(jī)控制和電動(dòng)工具等應(yīng)用。
IPW60R299CP-VB 作為一款高電壓、中電流的 MOSFET,適合于開關(guān)電源、太陽能逆變器、電動(dòng)汽車充電器、高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等高功率密度和高效率需求的應(yīng)用。其 SJ_Multi-EPI 技術(shù)確保了優(yōu)異的開關(guān)性能和穩(wěn)定性,適用于多種嚴(yán)苛環(huán)境下的電力電子系統(tǒng)。
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