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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPW65R080CFDA-VB一款TO247封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPW65R080CFDA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 80mΩ@VGS=10V
  • ID 47A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW65R080CFDA-VB 產(chǎn)品簡介
IPW65R080CFDA-VB 是一款高性能N溝道功率MOSFET,封裝為TO-247,采用Super Junction(SJ)多重外延(Multi-EPI)技術(shù)制造。這款MOSFET 能夠承受高達700V的漏源電壓(VDS),適用于高電壓應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為80mΩ(在VGS=10V下),具有高達47A的漏極電流(ID)。這些特點使其在高電壓、高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適合要求嚴格的功率管理系統(tǒng)。

### 二、IPW65R080CFDA-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO-247  
- **溝道配置**:單N溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:700V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:80mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:47A  
- **功耗**:具體功耗取決于散熱條件和應(yīng)用  
- **工作溫度范圍**:取決于實際工作環(huán)境  
- **技術(shù)**:Super Junction(SJ)多重外延(Multi-EPI)  

### 三、IPW65R080CFDA-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高壓開關(guān)電源**:IPW65R080CFDA-VB 在高壓開關(guān)電源中表現(xiàn)優(yōu)異。其700V的高耐壓和80mΩ的導(dǎo)通電阻使其能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,適合用于大功率開關(guān)電源模塊中,提高電源效率并減少功率損耗。

2. **逆變器**:在光伏逆變器或其他高壓逆變器應(yīng)用中,這款MOSFET 提供了高電壓耐受能力和優(yōu)良的開關(guān)性能。其在逆變器中能夠有效處理高電壓開關(guān),提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

3. **工業(yè)電源和功率模塊**:適用于各種工業(yè)電源和功率模塊,包括高壓電源轉(zhuǎn)換器和功率管理系統(tǒng)。IPW65R080CFDA-VB 的高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻能夠滿足高功率應(yīng)用中的嚴格要求。

4. **電機控制系統(tǒng)**:在需要高電壓和高功率處理的電機驅(qū)動系統(tǒng)中,這款MOSFET 可以提供可靠的開關(guān)性能。其高電壓和電流能力使其成為高壓電機驅(qū)動和變頻器應(yīng)用中的理想選擇,有助于提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。

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