### 一、IPW65R080CFDA-VB 產(chǎn)品簡介
IPW65R080CFDA-VB 是一款高性能N溝道功率MOSFET，封裝為TO-247，采用Super Junction（SJ）多重外延（Multi-EPI）技術(shù)制造。這款MOSFET 能夠承受高達(dá)700V的漏源電壓（VDS），適用于高電壓應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為80mΩ（在VGS=10V下），具有高達(dá)47A的漏極電流（ID）。這些特點(diǎn)使其在高電壓、高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，適合要求嚴(yán)格的功率管理系統(tǒng)。
### 二、IPW65R080CFDA-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**：TO-247
- **溝道配置**：單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**：700V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：80mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**：47A
- **功耗**：具體功耗取決于散熱條件和應(yīng)用
- **工作溫度范圍**：取決于實(shí)際工作環(huán)境
- **技術(shù)**：Super Junction（SJ）多重外延（Multi-EPI）
### 三、IPW65R080CFDA-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高壓開關(guān)電源**：IPW65R080CFDA-VB 在高壓開關(guān)電源中表現(xiàn)優(yōu)異。其700V的高耐壓和80mΩ的導(dǎo)通電阻使其能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，適合用于大功率開關(guān)電源模塊中，提高電源效率并減少功率損耗。
2. **逆變器**：在光伏逆變器或其他高壓逆變器應(yīng)用中，這款MOSFET 提供了高電壓耐受能力和優(yōu)良的開關(guān)性能。其在逆變器中能夠有效處理高電壓開關(guān)，提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
3. **工業(yè)電源和功率模塊**：適用于各種工業(yè)電源和功率模塊，包括高壓電源轉(zhuǎn)換器和功率管理系統(tǒng)。IPW65R080CFDA-VB 的高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻能夠滿足高功率應(yīng)用中的嚴(yán)格要求。
4. **電機(jī)控制系統(tǒng)**：在需要高電壓和高功率處理的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，這款MOSFET 可以提供可靠的開關(guān)性能。其高電壓和電流能力使其成為高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)和變頻器應(yīng)用中的理想選擇，有助于提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。
