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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPW65R150CFD-VB一款TO247封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPW65R150CFD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package Package
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 80mΩ@VGS=10V
  • ID 47A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPW65R150CFD-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPW65R150CFD-VB 是一款高電壓、高電流能力的N溝道功率MOSFET,采用 TO247 封裝。它具有最大漏源極電壓700V和漏極電流47A的能力,設(shè)計(jì)用于處理高電壓和高功率應(yīng)用。該MOSFET采用SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延)技術(shù),這種技術(shù)提高了MOSFET的電壓承受能力和導(dǎo)電性能,使其在高功率和高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:TO247  
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **漏源極電壓 (VDS)**:700V  
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:80mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流 (ID)**:47A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延技術(shù))  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **功耗 (Ptot)**:150W(在25°C時(shí))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **高壓開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:IPW65R150CFD-VB 非常適用于高壓開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng),如高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高電壓耐受能力和較低的導(dǎo)通電阻使其能夠高效地轉(zhuǎn)換電源,提升系統(tǒng)效率并減少能量損耗。

2. **工業(yè)電源管理**:在工業(yè)電源管理應(yīng)用中,例如高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源分配系統(tǒng),該MOSFET 提供了可靠的高電流和高電壓控制能力。它能夠有效地控制電流,保護(hù)電路免受過(guò)電壓的影響,并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

3. **高壓逆變器**:在高壓逆變器系統(tǒng)中,如太陽(yáng)能逆變器或風(fēng)能逆變器,IPW65R150CFD-VB 能夠處理高電壓和高功率需求,確保從直流到交流的高效轉(zhuǎn)換。它幫助提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能,支持可再生能源的有效利用。

4. **功率因數(shù)校正 (PFC)**:該MOSFET 也適用于需要高電壓和高效功率因數(shù)校正的模塊。在這些應(yīng)用中,它能夠減少功率損耗,提高能效,并確保系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性。

這些應(yīng)用示例表明,IPW65R150CFD-VB 是處理高電壓和高功率需求的理想選擇,其卓越的性能和可靠性使其在各種電力管理和轉(zhuǎn)換應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

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