--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO247
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
- ID 20A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IPW65R190CFD-VB 產(chǎn)品簡介
IPW65R190CFD-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO247封裝。該MOSFET 具有650V的擊穿電壓和160mΩ的導(dǎo)通電阻,適合處理高電壓和高電流的應(yīng)用。它采用了超級結(jié)(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技術(shù),使其在高壓環(huán)境下保持高效的開關(guān)性能和低功率損耗。IPW65R190CFD-VB 適用于高效電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電力系統(tǒng)以及其他需要高電壓和高電流控制的領(lǐng)域。
### 二、IPW65R190CFD-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO247
- **配置**:單N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**:650V
- **柵極驅(qū)動電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:160mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:20A
- **技術(shù)**:超級結(jié)(SJ)多重外延(Multi-EPI)
- **功耗 (Ptot)**:125W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **開關(guān)速度**:快速開關(guān)能力
- **封裝引腳數(shù)**:3引腳
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **開關(guān)電源(SMPS)**:IPW65R190CFD-VB 在開關(guān)電源應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。其650V的高擊穿電壓和160mΩ的導(dǎo)通電阻使其適合用于高電壓電源轉(zhuǎn)換器,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器,能在高電壓下實現(xiàn)高效的開關(guān)操作,減少功率損耗。
2. **功率逆變器**:在功率逆變器系統(tǒng)中,該MOSFET 能夠有效處理來自直流電源的高電壓輸入,進(jìn)行高效的逆變過程。特別適用于太陽能逆變器和工業(yè)逆變器,能夠確保電能轉(zhuǎn)換的穩(wěn)定性和可靠性。
3. **工業(yè)電力管理**:IPW65R190CFD-VB 適合在工業(yè)電力模塊中使用,如電動機驅(qū)動系統(tǒng)和電力轉(zhuǎn)換裝置。其高電壓耐受能力和低開關(guān)損耗能夠支持高功率應(yīng)用的穩(wěn)定運行和高效控制。
4. **不間斷電源(UPS)**:在UPS系統(tǒng)中,這款MOSFET 可以高效地處理電力中斷的高電壓需求,確保在電力失效時為關(guān)鍵設(shè)備提供可靠的備用電源,并維持系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
5. **高壓電池管理系統(tǒng)(BMS)**:IPW65R190CFD-VB 在高壓電池管理系統(tǒng)中也能發(fā)揮作用,特別是在電池充電和放電過程中的高電壓控制。它的低導(dǎo)通電阻和高電壓耐受能力有助于提高電池管理系統(tǒng)的效率和安全性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12