--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO247
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 700V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 210mΩ@VGS=10V
- ID 20A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介:
IPW65R310CFD-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO247,專為高電壓和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具備 700V 的漏源電壓 (VDS) 和 20A 的漏極電流 (ID),確保在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。其在 VGS=10V 時的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 210mΩ,適合需要中等導(dǎo)通電阻和高耐壓的應(yīng)用場景。柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±30V,提供了廣泛的控制電壓適應(yīng)性。IPW65R310CFD-VB 適合于高壓開關(guān)電源、工業(yè)電源模塊以及高功率應(yīng)用中的高壓開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換器。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明:
1. **封裝類型**:TO247
2. **溝道類型**:單一 N 溝道
3. **VDS(漏源電壓)**:700V
4. **VGS(柵源電壓)**:±30V
5. **Vth(閾值電壓)**:3.5V
6. **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:210mΩ @ VGS = 10V
7. **ID(漏極電流)**:20A
8. **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI 技術(shù)
9. **Qg(總柵電荷)**:250 nC
10. **熱阻**:Rth(j-c) = 0.62°C/W
11. **導(dǎo)通延遲時間**:120 ns
12. **上升時間**:150 ns
13. **關(guān)斷延遲時間**:100 ns
14. **下降時間**:90 ns
15. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
16. **Ptot(最大功耗)**:250W
### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **高壓開關(guān)電源**:IPW65R310CFD-VB 適用于高壓開關(guān)電源中的開關(guān)控制部分,其 700V 的高漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻使其能夠在高壓輸入條件下高效運(yùn)行,提供可靠的電源轉(zhuǎn)換性能。
2. **工業(yè)電源管理系統(tǒng)**:在工業(yè)電源管理模塊中,這款 MOSFET 可以處理高電壓和中等電流需求,適用于高壓電源的開關(guān)和控制,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。
3. **光伏逆變器**:用于光伏逆變器中,IPW65R310CFD-VB 可以高效地處理光伏面板輸出的高電壓,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高耐壓和可靠的開關(guān)性能提高了逆變器的整體效率和穩(wěn)定性。
4. **電動汽車充電設(shè)備**:在電動汽車充電設(shè)備中,IPW65R310CFD-VB 可以用于高壓轉(zhuǎn)換模塊,適合于快速充電樁和電動汽車充電系統(tǒng)中的高電壓控制,確保充電過程的高效和安全。
5. **高壓功率放大器**:在高壓功率放大器應(yīng)用中,這款 MOSFET 能夠處理高電壓信號,適合用于 RF 功率放大和信號處理,提供低損耗和高效能量轉(zhuǎn)換。
6. **電機(jī)驅(qū)動器**:IPW65R310CFD-VB 還適用于高功率電機(jī)驅(qū)動器中,提供高電壓開關(guān)控制,確保電機(jī)在高負(fù)載條件下的高效運(yùn)行和精確控制。
總之,IPW65R310CFD-VB 是一款適用于高壓、高功率應(yīng)用的 MOSFET,廣泛應(yīng)用于高壓開關(guān)電源、逆變器、電動汽車充電設(shè)備等領(lǐng)域,提供可靠的開關(guān)性能和高效的能量轉(zhuǎn)換。
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