--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO247
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 900V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 100mΩ@VGS=10V
- ID 47A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介: IPW90R120C3-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO247封裝,專為高壓和高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET 采用了先進(jìn)的超結(jié)(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技術(shù),具有900V的漏源極電壓(VDS)和±30V的柵源極電壓(VGS)。它的開啟電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為100mΩ(@VGS=10V),最大漏極電流(ID)為47A。這些特性使得IPW90R120C3-VB 非常適合用于需要高電壓處理和高效能開關(guān)的場合,如電源轉(zhuǎn)換和電動機(jī)控制系統(tǒng)。
詳細(xì)參數(shù)說明:
封裝類型:TO247
溝道類型:單N溝道
漏源極電壓 (VDS):900V
柵源極電壓 (VGS):±30V
開啟電壓 (Vth):3.5V
導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):100mΩ @ VGS=10V
最大漏極電流 (ID):47A
技術(shù)類型:超結(jié)(SJ)+ 多重外延(Multi-EPI)技術(shù)
工作溫度范圍:-55°C 至 150°C
功率耗散 (PD):適應(yīng)高功率應(yīng)用
開關(guān)頻率:適用于高頻率開關(guān)應(yīng)用
應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:
高壓電源轉(zhuǎn)換器:IPW90R120C3-VB 的900V高耐壓能力使其非常適合在高壓電源轉(zhuǎn)換器中使用,包括AC-DC適配器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。這種MOSFET 可以處理高電壓,提供穩(wěn)定的電流轉(zhuǎn)換,確保系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性。
電動機(jī)驅(qū)動器:在高壓電動機(jī)控制系統(tǒng)中,MOSFET 可用于處理高電壓和高電流應(yīng)用。IPW90R120C3-VB 具有高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,適合用于工業(yè)電動機(jī)驅(qū)動器和電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中。
光伏逆變器:在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,特別是需要高電壓轉(zhuǎn)換的逆變器部分,該MOSFET 能夠處理900V的高電壓,確保將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的過程中保持高效和可靠,適用于大型光伏發(fā)電系統(tǒng)。
高壓開關(guān)模式電源 (SMPS):IPW90R120C3-VB 的高電壓處理能力和良好的開關(guān)特性使其在高壓SMPS中表現(xiàn)出色。它能夠高效地處理開關(guān)操作,適用于高功率電源模塊,如服務(wù)器電源和工業(yè)電源。
電源保護(hù)電路:在高壓電源保護(hù)電路中,該MOSFET 可以用作過壓保護(hù)或過流保護(hù)的開關(guān)元件,其高電壓和電流處理能力能夠有效保護(hù)電源系統(tǒng)免受過電壓和過電流的影響,提高系統(tǒng)的安全性和可靠性。
這些應(yīng)用示例展示了IPW90R120C3-VB 在高電壓、高效能場合中的廣泛適用性,尤其是在需要處理高壓和高電流的電源轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它