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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPW90R1K0C3-VB一款TO247封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPW90R1K0C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 900V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 750mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPW90R1K0C3-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPW90R1K0C3-VB 是一款高電壓N溝道MOSFET,采用TO247封裝。設(shè)計(jì)用于高壓、高功率應(yīng)用,該MOSFET 具有900V的漏源極電壓(VDS)和30V的柵源極電壓(VGS)。其導(dǎo)通電阻為750mΩ(在VGS=10V時(shí)),最大漏極電流為9A。IPW90R1K0C3-VB 利用SJ(超結(jié))多重外延技術(shù)(SJ_Multi-EPI),能夠在高電壓和高功率條件下提供可靠的性能和較低的功率損耗。這使得它非常適合在需要高電壓耐受性和穩(wěn)定性的重要應(yīng)用中使用。

### IPW90R1K0C3-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO247
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:900V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:9A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI 超結(jié)多重外延技術(shù)
- **其他特點(diǎn)**:
 - 高電壓耐受能力,適合高壓應(yīng)用
 - 較低的導(dǎo)通電阻,減小功率損耗
 - 高電流處理能力,適合高功率應(yīng)用
 - 優(yōu)秀的熱性能和高開關(guān)效率

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:IPW90R1K0C3-VB 適用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,如高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器。其900V的漏源極電壓允許它處理高電壓輸入,同時(shí)其低導(dǎo)通電阻有效降低了能量損耗,提高了轉(zhuǎn)換效率。

2. **工業(yè)電力模塊**:在工業(yè)電力模塊中,如電力調(diào)節(jié)器和高壓開關(guān),該MOSFET 能夠穩(wěn)定地處理大電流和高電壓,提供可靠的開關(guān)性能和高效的電力管理,確保工業(yè)設(shè)備在高功率條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng)**:IPW90R1K0C3-VB 也適用于電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)。其高電壓能力使其能夠處理高電壓電池組的開關(guān)和保護(hù),同時(shí)低導(dǎo)通電阻確保電池充放電過程中的高效能和低能量損耗。

4. **電力逆變器**:在太陽能或風(fēng)能電力逆變器中,這款MOSFET 可用于高電壓電源的逆變和轉(zhuǎn)換。其900V的耐壓能力和優(yōu)良的熱管理性能使其能夠在極端環(huán)境中保持高效運(yùn)行,適合用于大規(guī)??稍偕茉聪到y(tǒng)的電力轉(zhuǎn)換模塊。

IPW90R1K0C3-VB 憑借其卓越的高電壓耐受能力和高效的電流處理性能,廣泛適用于高電壓、高功率環(huán)境中的各種關(guān)鍵應(yīng)用,確保了系統(tǒng)的可靠性和高效性。

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