chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

IPW90R340C3-VB一款TO247封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPW90R340C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 900V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 205mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPW90R340C3-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPW90R340C3-VB 是一款高電壓N溝道MOSFET,封裝形式為TO247。這款MOSFET 設(shè)計(jì)用于需要高電壓和高功率處理的應(yīng)用,具有900V的漏源極電壓(VDS)和30V的柵源極電壓(VGS)。其導(dǎo)通電阻為205mΩ(在VGS=10V時(shí)),最大漏極電流為20A。采用SJ(超結(jié))多重外延技術(shù)(SJ_Multi-EPI),該MOSFET 能夠在高電壓環(huán)境下提供良好的開(kāi)關(guān)性能和可靠性,同時(shí)減少功率損耗。適用于高壓電源系統(tǒng)、工業(yè)電力模塊以及電力逆變器等應(yīng)用。

### IPW90R340C3-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO247
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:900V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:205mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:20A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI 超結(jié)多重外延技術(shù)
- **其他特點(diǎn)**:
 - 高電壓耐受能力,適合高電壓應(yīng)用
 - 較低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功率損耗
 - 高電流處理能力,滿足高功率應(yīng)用需求
 - 優(yōu)良的熱性能和高開(kāi)關(guān)效率

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:IPW90R340C3-VB 適用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器。這款MOSFET 能夠處理高達(dá)900V的電壓輸入,同時(shí)其導(dǎo)通電阻幫助降低能量損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **工業(yè)電力模塊**:在工業(yè)電力管理和調(diào)節(jié)模塊中,這款MOSFET 提供了高電流和高電壓的處理能力,非常適合用于高壓開(kāi)關(guān)和功率調(diào)節(jié)模塊,確保在工業(yè)設(shè)備中穩(wěn)定和高效地工作。

3. **電動(dòng)汽車充電器**:在電動(dòng)汽車充電器中,IPW90R340C3-VB 可以處理高電壓和大電流的充電過(guò)程。其900V的耐壓能力和較低的導(dǎo)通電阻確保了高效的充電和放電性能,提高充電效率并降低損耗。

4. **電力逆變器**:這款MOSFET 也適用于電力逆變器,如太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能逆變器。其高電壓和高電流處理能力使其能夠有效轉(zhuǎn)換和管理大規(guī)模的電力輸出,支持可再生能源系統(tǒng)中的高效電力轉(zhuǎn)換。

IPW90R340C3-VB 憑借其高電壓耐受能力和較低的導(dǎo)通電阻,適用于各種高電壓和高功率應(yīng)用,確保在嚴(yán)苛條件下的可靠性和高效性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    73瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    59瀏覽量