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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IR3707-VB一款DFN8(3X3)封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IR3707-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package DFN8(3X3)
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 13mΩ@VGS=10V
  • ID 30A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IR3707-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IR3707-VB 是一款單一 N 溝道的 MOSFET,采用 DFN8 (3x3) 小封裝設(shè)計(jì),具有高效的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻。其主要特點(diǎn)包括 30V 的漏源電壓 (VDS),以及較高的 30A 連續(xù)漏極電流 (ID),可確保在高功率應(yīng)用中的可靠性。此器件適用于對(duì)電流密度要求較高的應(yīng)用,具備較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS),可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)時(shí)間與降低能量損耗。采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),使其在保持高效導(dǎo)通的同時(shí)降低功耗,成為諸多低壓應(yīng)用的理想選擇。

### IR3707-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:DFN8 (3x3)
- **器件類(lèi)型**:?jiǎn)我?N 溝道 MOSFET
- **最大漏源電壓 (VDS)**:30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**:1.7V(典型值)
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:19mΩ @ VGS=4.5V,13mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:30A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)
- **功耗**:出色的低功耗特性,適合能量密集型應(yīng)用
- **封裝特性**:緊湊型 DFN8 封裝具有良好的散熱性能和高功率密度

### 適用領(lǐng)域與模塊舉例說(shuō)明
1. **電源管理模塊**:IR3707-VB 由于其較低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,特別適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器 (DC-DC Converter),以及開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用中。其小封裝設(shè)計(jì)適合緊湊的電路板布局,尤其是在筆記本電腦、平板設(shè)備和服務(wù)器等需要低功耗、高性能的領(lǐng)域。
  
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:憑借其高電流能力和較低的開(kāi)啟電壓,IR3707-VB 適合電動(dòng)工具、風(fēng)扇和無(wú)人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。在這些場(chǎng)景中,MOSFET 的快速開(kāi)關(guān)特性能夠提高電機(jī)控制的精度和效率。

3. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:該器件在汽車(chē)電子、智能電網(wǎng)等系統(tǒng)中可以作為高效負(fù)載開(kāi)關(guān)使用。在要求高效控制電流的應(yīng)用中,IR3707-VB 能夠通過(guò)其低導(dǎo)通電阻有效降低發(fā)熱,并提高系統(tǒng)的整體效率。

4. **照明系統(tǒng)**:在 LED 照明和背光應(yīng)用中,MOSFET 用于驅(qū)動(dòng) LED 電流,其低損耗特性幫助降低系統(tǒng)功耗,并延長(zhǎng)照明設(shè)備的使用壽命。

IR3707-VB 是一款性能卓越、應(yīng)用廣泛的 MOSFET,適用于各種高效電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、驅(qū)動(dòng)電路等低壓、高功率場(chǎng)景。

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