--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package DFN6(2X2)
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 23mΩ@VGS=10V
- ID 6A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IR8342-VB 產(chǎn)品簡介
IR8342-VB是一款采用DFN6(2x2)封裝的單N溝道MOSFET,具有30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。其低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)能力,使其適合于需要高效率和低功耗的應(yīng)用場景。該器件采用先進(jìn)的Trench技術(shù),確保在低柵極驅(qū)動電壓下仍能保持優(yōu)良的導(dǎo)通性能。通過4.5V和10V的柵極驅(qū)動電壓測試,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為27mΩ和23mΩ,最大持續(xù)漏極電流為6A,非常適合空間有限且對電氣性能要求較高的應(yīng)用。
### IR8342-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: DFN6 (2x2)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 27mΩ @ VGS=4.5V
- 23mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 6A
- **技術(shù)**: Trench
- **最大耗散功率**: 根據(jù)設(shè)計和散熱條件
- **工作溫度范圍**: 典型工作溫度范圍通常為-55°C至+150°C(具體需要參考數(shù)據(jù)手冊)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **便攜式設(shè)備中的電源管理**
由于其緊湊的DFN6封裝和低導(dǎo)通電阻,IR8342-VB非常適合用于便攜式設(shè)備中的電源管理模塊,如智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備。它可用于負(fù)載開關(guān)和電池管理系統(tǒng),在低電壓應(yīng)用中提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
2. **直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)**
IR8342-VB憑借其低RDS(ON)和快速開關(guān)速度,適用于降壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器。這種MOSFET能夠提高轉(zhuǎn)換效率,特別是在需要高頻開關(guān)和高效率的電源模塊中,例如筆記本電腦、車載電子設(shè)備中的降壓轉(zhuǎn)換器。
3. **電機(jī)驅(qū)動電路**
由于IR8342-VB具備6A的最大電流和良好的熱性能,它也可以用于小型電機(jī)的驅(qū)動應(yīng)用,例如家用電器、電動工具和其他需要精準(zhǔn)電流控制的小功率電機(jī)系統(tǒng)。MOSFET的低損耗特性能夠顯著降低電機(jī)驅(qū)動中的發(fā)熱。
4. **電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)**
在計算機(jī)主板或服務(wù)器電源中的電壓調(diào)節(jié)模塊中,IR8342-VB也可以用作關(guān)鍵的開關(guān)器件,其低RDS(ON)和快速開關(guān)能力能夠有效降低開關(guān)損耗,提升整體電源系統(tǒng)的效率和可靠性。
這種MOSFET在需要高效率、低功耗和緊湊設(shè)計的場合中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適用于高頻開關(guān)電路和空間受限的應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12