--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 420mΩ@VGS=10V
- ID 11A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
IRC740-VB 是一款采用 TO220 封裝的單 N-溝道 MOSFET,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 VDS 高達(dá) 650V,使其適合用于高壓電路中。該 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),這種技術(shù)有助于提高其開關(guān)速度和降低導(dǎo)通電阻,從而在高電壓條件下仍能保持良好的性能。具有 11A 的最大漏極電流,且閾值電壓 Vth 為 3.5V,這使得該 MOSFET 能夠在較低的柵源電壓下穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 420mΩ(在 VGS=10V 時(shí)),確保了高效的電流傳輸與低功率損耗。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 RDS(ON)**:420mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:11A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI
- **工作溫度范圍**:通常為 -55°C 到 150°C(具體需參考數(shù)據(jù)手冊)
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
IRC740-VB MOSFET 由于其高耐壓和高電流處理能力,適用于多個(gè)高電壓應(yīng)用場景。以下是幾個(gè)典型的應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
IRC740-VB 適用于高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 適配器中。其高達(dá) 650V 的 VDS 能夠處理高電壓輸入,同時(shí)保持較低的導(dǎo)通電阻,提高了轉(zhuǎn)換效率并降低了功率損耗。
2. **開關(guān)電源**:
在開關(guān)電源應(yīng)用中,這款 MOSFET 能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作,并且由于其較低的 RDS(ON),能夠有效減少開關(guān)損耗,適用于工業(yè)和家用電器的電源管理。
3. **電機(jī)驅(qū)動控制**:
IRC740-VB 可用于高電壓電機(jī)驅(qū)動控制電路,例如用于電動工具和工業(yè)電機(jī)的驅(qū)動模塊。這款 MOSFET 提供了可靠的高電壓開關(guān)能力,確保電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行和精確控制。
4. **高壓開關(guān)和保護(hù)電路**:
由于其高耐壓特性,該 MOSFET 適合用于高壓開關(guān)和保護(hù)電路中,如電源保護(hù)、過壓保護(hù)等應(yīng)用,確保電路的穩(wěn)定性和安全性。
IRC740-VB 的高電壓和高電流能力使其成為各種高功率和高電壓應(yīng)用中的理想選擇,特別是在需要穩(wěn)定性和效率的場景中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛