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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF1010EL-VB一款TO262封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF1010EL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRF1010EL-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRF1010EL-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET,采用 TO262 封裝。該器件專為高電流應(yīng)用設(shè)計(jì),具有 60V 的漏源電壓(VDS)和 20V 的柵源電壓(VGS)范圍。它基于先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù)制造,提供極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 6mΩ@VGS=10V),確保高效的電流傳輸和低功耗操作。IRF1010EL-VB 能夠承受高達(dá) 120A 的漏極電流(ID),使其非常適合高功率和高頻率的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 二、IRF1010EL-VB 參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: TO262  
- **配置**: 單 N-通道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 6mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A  
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**: IRF1010EL-VB 在高功率電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開(kāi)關(guān)。其低導(dǎo)通電阻有助于減少電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中的功耗和熱量,從而提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)**: 在電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)中,該 MOSFET 可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)。其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻使其適合處理大功率電流,提升車(chē)輛的動(dòng)力系統(tǒng)效率和可靠性。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**: IRF1010EL-VB 適合用于工業(yè)自動(dòng)化中的高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載控制。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定操作,減少了能量損耗和系統(tǒng)發(fā)熱。

4. **通信設(shè)備**: 在通信設(shè)備如基站和交換機(jī)中,IRF1010EL-VB 可用于高功率 RF 放大器和信號(hào)開(kāi)關(guān)。其高電流處理能力和優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能有助于提升設(shè)備的整體性能和信號(hào)質(zhì)量。

通過(guò)這些應(yīng)用場(chǎng)景,IRF1010EL-VB 展現(xiàn)了在高功率和高效能需求下的優(yōu)越性能,是許多關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域中不可或缺的組件。

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