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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1010ES-VB一款TO263封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1010ES-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF1010ES-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRF1010ES-VB 是一款單通道 N 型 MOSFET,采用 TO263 封裝,專為高電流、高電壓應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的漏極-源極電壓(VDS)為 60V,柵極-源極電壓(VGS)為 ±20V,適用于各種電力管理和開關(guān)應(yīng)用。其柵極閾值電壓(Vth)為 3V,確保在較低的柵極電壓下實現(xiàn)穩(wěn)定開關(guān)。IRF1010ES-VB 的 RDS(ON) 值在 VGS=10V 時為 4mΩ,表明其具有極低的導(dǎo)通電阻,從而減少功率損耗。該器件能承受高達(dá) 150A 的連續(xù)漏極電流,適合用于高功率密度的應(yīng)用。其溝槽技術(shù)進(jìn)一步提高了開關(guān)速度和整體效率。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝:** TO263
- **配置:** 單通道 N 型
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth):** 3V
- **RDS(ON):** 4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID):** 150A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用實例

IRF1010ES-VB MOSFET 可廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域:

1. **電源管理:** 在開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,這款 MOSFET 由于其低 RDS(ON) 和高電流處理能力,非常適合用于高效能的電源開關(guān),能夠有效降低開關(guān)損耗并提高整體效率。

2. **電動機(jī)控制:** 在高功率電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,如電動車和工業(yè)電機(jī)控制器,IRF1010ES-VB 的高電流承受能力使其能夠可靠地驅(qū)動大功率電動機(jī),滿足苛刻的工作環(huán)境需求。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS):** 在電池保護(hù)和管理電路中,該 MOSFET 可以用于控制充放電過程,其低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗,延長電池壽命。

4. **逆變器應(yīng)用:** 在太陽能逆變器和其他高功率逆變器中,IRF1010ES-VB 可用于高效地將 DC 轉(zhuǎn)換為 AC,提供穩(wěn)定可靠的電力轉(zhuǎn)換,滿足高功率負(fù)載的需求。

5. **高功率 LED 驅(qū)動:** 在高功率 LED 照明系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以提供高效的開關(guān)控制,確保燈具的穩(wěn)定運(yùn)行,并優(yōu)化能源使用。

這些應(yīng)用實例展示了 IRF1010ES-VB 在各個領(lǐng)域中的廣泛適用性,其優(yōu)越的性能使其成為高電流、高電壓環(huán)境下的理想選擇。

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