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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1010NLPBF-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1010NLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
  • ID 210A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

IRF1010NLPBF-VB 是一款采用 TO262 封裝的單 N-溝道 MOSFET,以其卓越的性能和高電流處理能力而聞名。該 MOSFET 具有 60V 的最大漏源電壓(VDS),能夠在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定工作。其閾值電壓(Vth)為 3.5V,使得 MOSFET 在較低的柵源電壓下即可開啟。IRF1010NLPBF-VB 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),擁有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 3mΩ@VGS=10V),這使得它能夠在高電流條件下保持高效的電流傳輸。其最大漏極電流(ID)高達(dá) 210A,適合用于要求高電流承載能力的應(yīng)用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO262  
- **配置**:Single-N-Channel  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V  
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 RDS(ON)**:3mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:210A  
- **技術(shù)類型**:Trench  
- **工作溫度范圍**:通常為 -55°C 到 150°C(具體需參考數(shù)據(jù)手冊)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

IRF1010NLPBF-VB MOSFET 的高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其適用于各種高性能、高電流的應(yīng)用場景。以下是幾個典型的應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:

1. **高功率電源管理**:  
  由于其高達(dá) 210A 的漏極電流能力,IRF1010NLPBF-VB 非常適合用于高功率電源管理系統(tǒng),如服務(wù)器電源供應(yīng)和大型工業(yè)電源。其低導(dǎo)通電阻能夠顯著減少功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動汽車(EV)**:  
  在電動汽車的電機(jī)驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠處理高電流需求,并提供可靠的開關(guān)性能。其低 RDS(ON) 值有助于提升電動車驅(qū)動系統(tǒng)的能效。

3. **電機(jī)驅(qū)動和控制**:  
  IRF1010NLPBF-VB 適用于需要高電流的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用,例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和大功率電動工具。其優(yōu)異的導(dǎo)通性能確保了電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行和高效能傳輸。

4. **高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:  
  在高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力可以顯著提升轉(zhuǎn)換效率,特別是在高電流輸出和低電壓輸入的場景下,能夠有效減少轉(zhuǎn)換損耗。

IRF1010NLPBF-VB 的高電流處理能力和極低的導(dǎo)通電阻使其在各種需要高功率、高效能的應(yīng)用中都表現(xiàn)出色,是現(xiàn)代電源設(shè)計和高電流開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

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