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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRF1104STRL-VB一款TO263封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IRF1104STRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF1104STRL-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IRF1104STRL-VB 是一款高性能單通道 N 型 MOSFET,封裝形式為 TO263,專為高電流和高效率應用設計。該 MOSFET 的漏極-源極電壓(VDS)為 40V,柵極-源極電壓(VGS)為 ±20V,適用于各種電源管理和開關控制應用。其柵極閾值電壓(Vth)為 2.5V,允許在較低的柵極電壓下進行穩(wěn)定開關。IRF1104STRL-VB 的 RDS(ON) 值在 VGS=4.5V 時為 6mΩ,在 VGS=10V 時為 5mΩ,顯示出其優(yōu)異的低導通電阻,能夠顯著減少功率損耗。該 MOSFET 能夠處理高達 100A 的連續(xù)漏極電流,適合于需要高功率密度和高效能的應用。其溝槽技術設計增強了開關性能,提供了更高的能效和可靠性。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝:** TO263
- **配置:** 單通道 N 型
- **漏極-源極電壓 (VDS):** 40V
- **柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth):** 2.5V
- **RDS(ON):** 6mΩ @ VGS=4.5V;5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID):** 100A
- **技術:** 溝槽技術

### 應用實例

IRF1104STRL-VB MOSFET 在多個領域和模塊中的應用示例如下:

1. **電源管理系統(tǒng):** 在高效開關電源(SMPS)和 DC-DC 轉換器中,IRF1104STRL-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其適合于高效能的電源開關,能夠有效降低開關損耗,并提高整體效率。

2. **電動機驅(qū)動:** 由于其高電流承受能力,該 MOSFET 適用于電動機控制系統(tǒng),包括電動車和工業(yè)電機驅(qū)動器,能夠在高功率環(huán)境下穩(wěn)定運行,并提供可靠的性能。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS):** 在電池保護和管理電路中,IRF1104STRL-VB 能夠幫助控制充放電過程,其低 RDS(ON) 值減少了功率損耗,提高了系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

4. **逆變器應用:** 在太陽能逆變器和其他高功率逆變器中,該 MOSFET 的高開關速度和低導通電阻能夠?qū)崿F(xiàn)高效的 DC 到 AC 轉換,提供穩(wěn)定的電力輸出,滿足高功率負載的需求。

5. **高功率 LED 驅(qū)動:** IRF1104STRL-VB 可以用于高功率 LED 照明系統(tǒng),其出色的開關性能和低導通損耗有助于確保 LED 照明的穩(wěn)定性和能源效率。

這些應用實例展示了 IRF1104STRL-VB 在各個領域的廣泛適用性,其優(yōu)越的性能使其成為高電流、高效率應用的理想選擇。

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