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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF1310NSTRR-VB一款TO263封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF1310NSTRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 - IRF1310NSTRR-VB MOSFET

IRF1310NSTRR-VB 是一款封裝為 TO263 的單通道 N 型 MOSFET,專為高效能、高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 具有 100V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 額定值,能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。其閾值電壓 (Vth) 為 1.8V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 35mΩ,在 VGS 為 10V 時(shí)為 30mΩ,支持最大 45A 的漏極電流。采用溝槽 (Trench) 技術(shù),IRF1310NSTRR-VB 提供了低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)效率,非常適合用于高電流和高效能的電力轉(zhuǎn)換及開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO263
- **配置**:?jiǎn)瓮ǖ?N 型 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 35mΩ @ VGS = 4.5V
 - 30mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:45A
- **技術(shù)**:Trench (溝槽型)

### 適用領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用舉例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:IRF1310NSTRR-VB 由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,非常適合用于高效能電源轉(zhuǎn)換器,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,它能有效降低能量損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率,特別適合用于高電流輸出的場(chǎng)合。

2. **電機(jī)控制系統(tǒng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,如直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或無刷直流電機(jī) (BLDC) 控制器,IRF1310NSTRR-VB 提供了高電流處理能力和低導(dǎo)通損耗,能夠穩(wěn)定地控制電機(jī)啟動(dòng)、運(yùn)行和停止。

3. **功率放大器**:該 MOSFET 可用于高功率音頻放大器或射頻功率放大器中,能夠處理較高電壓和電流,確保放大器在高功率操作下穩(wěn)定高效。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,特別是在電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)中,IRF1310NSTRR-VB 可以作為高電流負(fù)載開關(guān),提供可靠的開關(guān)性能,確保電池的安全充放電和系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。

5. **逆變器應(yīng)用**:在太陽能逆變器等需要高電壓直流轉(zhuǎn)交流電的應(yīng)用中,IRF1310NSTRR-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了高效的電能轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)可靠性。

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