--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO263
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
- ID 45A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IRF1310NS-VB 產(chǎn)品簡介
IRF1310NS-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET,采用 TO263 封裝。該器件設(shè)計用于處理高電壓和大電流應(yīng)用,能夠承受最高 100V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。IRF1310NS-VB 采用先進的溝槽(Trench)技術(shù)制造,具有優(yōu)異的導(dǎo)通性能,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 35mΩ@VGS=4.5V 和 30mΩ@VGS=10V)確保了低功耗和高效能操作。該 MOSFET 可處理高達 45A 的漏極電流(ID),使其在高功率和高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色,適用于各種高負載和開關(guān)應(yīng)用。
### 二、IRF1310NS-VB 參數(shù)說明
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單 N-通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 45A
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
1. **電源管理與DC-DC轉(zhuǎn)換器**: IRF1310NS-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是用于高電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率,適合需要高效能電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
2. **電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)**: 在電動汽車和混合動力汽車的電機驅(qū)動和電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 提供了可靠的高電壓開關(guān)解決方案。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效地處理電動汽車的動力需求,提升車輛的整體性能和可靠性。
3. **工業(yè)自動化與電機驅(qū)動**: IRF1310NS-VB 適用于工業(yè)自動化中的高功率電機驅(qū)動和負載控制應(yīng)用。其耐高電壓和高電流的特性使其能夠在重負載和高頻開關(guān)的環(huán)境下穩(wěn)定運行,提升工業(yè)設(shè)備的效率和耐用性。
4. **通信基礎(chǔ)設(shè)施**: 在通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心中,該 MOSFET 可以用于高功率電源管理模塊和放大器。其低導(dǎo)通電阻和高電壓處理能力有助于提升設(shè)備的信號質(zhì)量和整體性能,確保通信系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運行。
IRF1310NS-VB 憑借其高電壓和高電流處理能力,適用于各種高功率和高效能的應(yīng)用場景,為系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12