chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

IRF1324L-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1324L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF1324L-VB 產(chǎn)品簡介

**IRF1324L-VB** 是一款高電流、低導(dǎo)通電阻的 N 通道 MOSFET,封裝為 TO262。它采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),支持高達(dá) 150A 的漏極電流,并且具有高達(dá) 30V 的漏極-源極電壓耐受能力。該 MOSFET 具有極低的導(dǎo)通電阻和較低的閾值電壓,適用于高效的功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用,特別是在需要處理高電流負(fù)載的場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IRF1324L-VB
- **封裝**: TO262
- **配置**: 單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.24mΩ (VGS=4.5V)
 - 2mΩ (VGS=10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

**1. 高效能開關(guān)**

IRF1324L-VB 非常適合用于高效能開關(guān)應(yīng)用,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和功率管理模塊。在這些應(yīng)用中,其極低的導(dǎo)通電阻和高電流能力能夠顯著提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗,并增強系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

**2. 電動汽車電池管理**

在電動汽車中,該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)及電動機控制單元。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻確保電池和電機能夠在高負(fù)載條件下高效穩(wěn)定運行,提高電動汽車的性能和續(xù)航能力。

**3. 工業(yè)電機驅(qū)動**

IRF1324L-VB 的高電流能力使其適合用于工業(yè)電機驅(qū)動系統(tǒng)。在電機驅(qū)動中,其低導(dǎo)通電阻有助于減少熱量和功耗,提高電機控制的效率和可靠性,特別是在需要處理大電流負(fù)載的工業(yè)應(yīng)用中。

**4. 計算機電源和通信設(shè)備**

在計算機電源和通信設(shè)備的電源管理中,IRF1324L-VB 可以用作開關(guān)元件。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保電源穩(wěn)定并高效地提供所需電流,同時減少了功耗和熱量的產(chǎn)生。

這些應(yīng)用示例展示了 IRF1324L-VB 在高電流和低導(dǎo)通電阻需求的場景中的廣泛適用性,特別是在需要高效能量管理和處理大功率負(fù)載的應(yīng)用中。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    73瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    59瀏覽量