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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1405STRR-VB一款TO263封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1405STRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 3.2mΩ@VGS=10V
  • ID 210A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRF1405STRR-VB** 是一款高性能單極性N溝道MOSFET,采用TO263封裝。它的設(shè)計目標(biāo)是提供高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,以適應(yīng)各種高功率應(yīng)用。該MOSFET利用Trench技術(shù)制造,具有卓越的開關(guān)性能和導(dǎo)電性能。它的最大漏源電壓為60V,能夠在高達(dá)210A的漏極電流下穩(wěn)定工作。此MOSFET特別適用于要求高效率和低功耗的電源管理和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IRF1405STRR-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源極電壓 (V_DS)**: 60V
- **柵源極電壓 (V_GS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))**:
 - 12mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 3.2mΩ @ V_GS = 10V
- **漏極電流 (I_D)**: 210A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**:
  - **應(yīng)用場景**: 在高效電源供應(yīng)系統(tǒng)中,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器和高功率開關(guān)電源,IRF1405STRR-VB的低R_DS(on)特性可以顯著減少能量損耗,提升系統(tǒng)效率。
  - **說明**: 其高電流承載能力使其適合在大電流應(yīng)用中使用,如服務(wù)器電源和電動汽車充電站等。

2. **電動汽車**:
  - **應(yīng)用場景**: 在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,IRF1405STRR-VB可以用作高功率電池開關(guān),提供高效的功率傳輸。
  - **說明**: 由于其低導(dǎo)通電阻,能在電池充放電過程中減少能量損耗,提高整體系統(tǒng)的效率和可靠性。

3. **逆變器**:
  - **應(yīng)用場景**: 在太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)中,該MOSFET可以作為開關(guān)元件使用,實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
  - **說明**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,能夠有效減少系統(tǒng)中的功耗,并提高轉(zhuǎn)換效率。

4. **汽車電子**:
  - **應(yīng)用場景**: 在汽車電子設(shè)備如電機(jī)驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換模塊中,IRF1405STRR-VB能夠提供穩(wěn)定的功率輸出。
  - **說明**: 高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其適用于對功率要求較高的汽車應(yīng)用,如車載電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。

這些應(yīng)用領(lǐng)域展示了IRF1405STRR-VB在高電流、高效率需求的場景中的優(yōu)勢,尤其是在需要低功耗和高性能的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中。

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