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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1503SPBF-VB一款TO263封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1503SPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2.3mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF1503SPBF-VB 產(chǎn)品簡介

**IRF1503SPBF-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封裝。它基于先進(jìn)的 Trench 技術(shù)設(shè)計(jì),具有非常低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。此 MOSFET 適用于需要高開關(guān)頻率和高電流的應(yīng)用,能夠在最大 30V 的漏極到源極電壓(VDS)下穩(wěn)定工作。IRF1503SPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))確保了在開關(guān)狀態(tài)下的最小功率損耗,優(yōu)化了熱管理并提高了系統(tǒng)效率。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IRF1503SPBF-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單一 N-Channel
- **最大漏極到源極電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵極到源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.2mΩ(VGS = 4.5V)
 - 2.3mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**
  - 在電源轉(zhuǎn)換器中,IRF1503SPBF-VB 的低 RDS(ON) 值使其能夠有效地處理高電流而產(chǎn)生較低的功率損耗。它特別適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和高效能電源模塊,提高了整體效率和穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)工具**
  - 在電動(dòng)工具和便攜式設(shè)備中,這款 MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高功率應(yīng)用中提供可靠的開關(guān)性能,確保工具在各種操作條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
  - IRF1503SPBF-VB 適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),其中需要處理高電流和高開關(guān)頻率。它能夠在電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行時(shí)提供穩(wěn)定的控制,優(yōu)化電機(jī)的性能和壽命。

4. **消費(fèi)電子**
  - 在高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品如音響系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)電源中,該 MOSFET 的高電流能力和低功耗特性可以提升設(shè)備的能效和運(yùn)行穩(wěn)定性,減少電源管理中的功率損耗。

5. **電池管理系統(tǒng)**
  - 用于電池管理系統(tǒng)時(shí),IRF1503SPBF-VB 能夠高效控制電池的充放電過程,低導(dǎo)通電阻減少了電池管理系統(tǒng)的功率損耗,提高了系統(tǒng)的整體效率和電池壽命。

IRF1503SPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在多種高性能電子和電氣應(yīng)用中都表現(xiàn)出色,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效率和高可靠性的需求。

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