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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF1902UTRPBF-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF1902UTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF1902UTRPBF-VB MOSFET 詳細(xì)產(chǎn)品信息

#### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRF1902UTRPBF-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為需要高效率和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。它利用 Trench 技術(shù)制造,提供卓越的導(dǎo)通性能和熱穩(wěn)定性。該 MOSFET 的最大漏極源極電壓(V_DS)為 30V,適合中等電壓應(yīng)用。其柵源極閾值電壓(V_th)為 1.7V,具有極低的導(dǎo)通電阻,在 4.5V 和 10V 的柵源電壓下,導(dǎo)通電阻分別為 11mΩ 和 8mΩ。這使得 IRF1902UTRPBF-VB 在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,其最大持續(xù)電流(I_D)為 13A,適合多種功率管理和開關(guān)應(yīng)用。

#### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏極源極電壓 (V_DS)**: 30V
- **最大柵源極電壓 (V_GS)**: ±20V
- **柵源極閾值電壓 (V_th)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))**:
 - 11mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 8mΩ @ V_GS = 10V
- **最大持續(xù)電流 (I_D)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench

#### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**: IRF1902UTRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和適中的電流處理能力使其非常適合用于電源管理應(yīng)用。它可以用在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊中,提高系統(tǒng)效率并減少功耗。

2. **電動(dòng)工具**: 在電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以作為開關(guān)元件,用于控制電機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié)。其低導(dǎo)通電阻有助于提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率和響應(yīng)速度。

3. **汽車電子**: IRF1902UTRPBF-VB 在汽車電子系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用,例如車載電源轉(zhuǎn)換器和燈光控制模塊。它的低導(dǎo)通電阻和高效率幫助減少電能損耗,提升汽車系統(tǒng)的整體性能。

4. **消費(fèi)電子**: 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如智能手機(jī)和便攜式設(shè)備,IRF1902UTRPBF-VB 可以用于電池管理系統(tǒng)和功率開關(guān)。其小巧的 SOP8 封裝適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景,同時(shí)提供高效的功率開關(guān)功能。

5. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以用于控制各種負(fù)載,包括電磁閥和繼電器。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

這些應(yīng)用示例展示了 IRF1902UTRPBF-VB 在各種功率管理和開關(guān)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì),使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中關(guān)鍵的組成部分。

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