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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF2804S-7PPBF-VB一款TO263-7L封裝N+N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF2804S-7PPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263-7L
  • Configurat Dual-N+N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 0.9mΩ@VGS=10V
  • ID 350A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRF2804S-7PPBF-VB** 是一款高性能的雙 N-Channel MOSFET,封裝形式為 TO263-7L。該 MOSFET 采用了 Trench 技術(shù),設(shè)計(jì)用于高電流、高效率的應(yīng)用場(chǎng)合。其低 RDS(ON) 值和高電流承載能力使其在各種功率管理和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。該器件具有 40V 的漏源電壓和 350A 的最大漏電流,適合用于高負(fù)荷的電源管理和電動(dòng)汽車系統(tǒng)中。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IRF2804S-7PPBF-VB
- **封裝**: TO263-7L
- **配置**: 雙 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 0.9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 350A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

**IRF2804S-7PPBF-VB** 的高性能特性使其適用于多個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域:

1. **電源管理**: 由于其極低的 RDS(ON) 和高電流能力,這款 MOSFET 常用于開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,能夠有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率,并減少熱量生成。

2. **電動(dòng)汽車**: 在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)電路中,這款 MOSFET 的高電流承載能力能夠確保電動(dòng)車的動(dòng)力系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定,同時(shí)提高整體效率和可靠性。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,如工業(yè)電機(jī)或自動(dòng)化設(shè)備,該 MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其成為理想選擇,有助于提高電機(jī)的響應(yīng)速度和功率傳輸效率。

4. **高功率應(yīng)用**: 在高功率的音頻放大器和 RF 放大器等設(shè)備中,IRF2804S-7PPBF-VB 能夠提供穩(wěn)定的性能,減少功率損耗,并保持系統(tǒng)的高效運(yùn)行。

總之,IRF2804S-7PPBF-VB 的設(shè)計(jì)使其在高電流和高效率要求的應(yīng)用中表現(xiàn)卓越,是各種高功率電子系統(tǒng)的理想選擇。

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